公开(公告)号：CN1652299A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410004028.9

申请日：2004-02-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆沅 ,  刘祥林 ,  陆大成 ,  王晓晖 ,  王占国

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/318

Abstract: 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层高温氮化铝缓冲层，该氮化铝缓冲层中铝的含量大于氮的含量。

公开(公告)号：CN1133217C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN00120889.6

申请日：2000-08-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘祥林 ,  陆大成 ,  王晓晖 ,  袁海荣

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 半导体面发光器件的制造方法，包括：在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p-n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气)，以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如：发光二极管，面输出的激光二极管等)具有光输出效率高，整个发光面发光均匀，避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极，或减少了器件的厚度，以及由此带来制作成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN1316782A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN00105756.1

申请日：2000-04-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陆大成 ,  刘祥林 ,  袁海荣 ,  王晓晖

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 一种氮化物半导体器件，其中包含：在绝缘衬底上生长氮化物缓冲层，在其上并与其相接触具有增强平行于PN结平面电子迁移率的又具有与负电极金属形成低阻欧姆接触功能的氮化物半导体多重异质及掺杂结构层构成的负电极n型复合接触层。其具有新结构的氮化物半导体器件，这种结构的氮化物半导体器件的串联电阻低发光效率高。