公开(公告)号：CN101017776A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610003072.7

申请日：2006-02-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  陈涌海 ,  李成明 ,  范海波 ,  王占国

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/00

Abstract: 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。

公开(公告)号：CN210897327U

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201922345475.5

申请日：2019-12-24

Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏洁 ,  魏鸿源 ,  陈怀浩 ,  杨少延 ,  杨瑞 ,  李成明 ,  李辉杰 ,  刘祥林 ,  汪连山

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基应力协变衬底及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。