公开(公告)号：CN1696332A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200410044605.7

申请日：2004-05-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘志凯 ,  柴春林 ,  陈诺夫 ,  王占国

IPC: C23C14/28

Abstract: 本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。

公开(公告)号：CN1421878A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN01140093.5

申请日：2001-11-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈诺夫 ,  张富强 ,  杨君玲 ,  刘志凯 ,  杨少延 ,  柴春林

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对上述磁性半导体材料进行热处理。