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公开(公告)号：CN102268734A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189194.6
申请日：2010-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域，提供了一种镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉及其制备方法，该材料的化学式为(Lu1-x-yCexPry)2Si2O7，其中：x＝0.0001～0.05，y＝0.0001～0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸镥中额外添加Pr3+离子，通过浮区法、提拉法以及高温固相法分别合成了镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁单晶和荧光粉，与不掺Pr3+的铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉相比，掺杂Pr3+后的铈掺杂焦硅酸镥的发光效率可以提高40～80％，明显提高了铈掺杂焦硅酸镥材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN101597798A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054214.6
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li6CexNyGd1－x－yB3O9－δ/2Mδ，其中，M选自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体以Ce3+离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂－6、钆－155、钆－157或硼－10同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。
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公开(公告)号：CN100385045C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510110784.4
申请日：2005-11-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl3原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10-20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈掺杂氯化镧(Ce:LaCl3)晶体适用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。
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公开(公告)号：CN1793439A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110784.4
申请日：2005-11-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl3原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈掺杂氯化镧(Ce∶LaCl3)晶体适用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。
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公开(公告)号：CN115637148B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211101775.9
申请日：2022-09-09
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明提供了一种锂铊共掺钠基卤素闪烁晶体、制备方法及应用，所述锂铊共掺钠基卤素闪烁晶体的组成通式为：(Na1‑a‑b‑c6LiaTlbMc)X；X为F、Cl、Br、I中的一种或者多种；M为Ca、Sr、Mg或Ba；其中，0＜a≤0.2，0＜b≤0.01，0＜c≤0.05。本发明的锂铊共掺钠基卤素闪烁晶体除了浓缩锂、铊掺杂剂外，同时引入碱土金属离子掺杂，通过引入碱土金属离子可实现伽马能量分辨率和中子‑伽马甄别能力的同步提升。该闪烁晶体具有高光输出、高能量分辨率、优异的中子/伽马射线甄别能力等优点，可应用于石油探井、安检、工业检测等领域。
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公开(公告)号：CN113897666A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010573954.7
申请日：2020-06-22
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种本征发光的卤化物闪烁晶体及其制备方法和应用，所述本征发光的卤化物闪烁晶体的组成通式为：AB2X3、A2BX3和A3B2X5；其中A=Li、Na、K、Rb、Cs、In和Tl中的至少一种；B=Cu、Ag和Au中的至少一种；X=F、Cl、Br和I中的至少一种。
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公开(公告)号：CN104357911A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410742436.8
申请日：2014-12-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C30B29/32 , C30B11/00 , C30B11/006
摘要： 本发明涉及一种采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体，制备方法包括：将CaMoO4密封于坩埚进行坩埚下降法生长，得到钼酸钙晶体，其中，采用坩埚下降法生长时，晶体生长温度为1400~1520℃，晶体生长时坩埚下降速度为0.05~2mm/小时，降温速率为≤2℃/小时。
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公开(公告)号：CN102234508A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010152375.1
申请日：2010-04-20
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C09K11/78
摘要： 本发明属于发光材料领域，具体涉及一种稀土掺杂硼酸镥辐射探测材料及其制备和应用。本发明的探测材料的化学式为：(Lu1-x-yMxNy)BO3，其中，M选自以下掺杂离子中的一种：Gd3+，Y3+和La3+；N选自以下激活剂离子中的一种：Ce3+，Pr3+和Yb3+，且0.005≤x≤0.5，0.001≤y≤0.1。本发明的稀土掺杂硼酸镥辐射探测材料，均可以粉体、块体或薄膜的形式应用于核医学成像(正电子发射层析摄影术PET)技术领域、X射线成像(如X射线计算机断层扫描CT)技术领域和安全检测技术领域等。
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公开(公告)号：CN101955773A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010501533.X
申请日：2010-10-09
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域，提供了一种镨铈掺杂硼酸镥钪闪烁晶体或荧光粉及其制备方法，该材料的化学式为(Lu1-mScm)1-x-yCexPryBO3，其中：0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.01，0.1≤m≤0.5。本发明在发光材料铈掺杂硼酸镥钪中额外添加Pr3+离子，通过提拉法以及高温固相法分别合成了镨铈掺杂硼酸镥钪闪烁单晶和荧光粉，与不掺Pr3+的铈掺杂硼酸镥钪闪烁晶体或荧光粉相比，掺杂Pr3+后的铈掺杂焦硼酸镥钪的发光效率可以提高40~50%，明显提高了铈掺杂硼酸镥钪材料的发光效率。
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