公开(公告)号：CN104960286A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510331341.1

申请日：2015-05-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈云飞 ,  倪振华 ,  邹益人 ,  袁志山 ,  赵伟玮 ,  伍根生 ,  徐伟 ,  司伟 ,  沙菁洁 ,  刘磊

IPC: B32B18/00 ,  B32B9/04

Abstract: 本发明公开了一种可控的二维材料柔性转移方法，所述方法包括步骤：首先，由机械剥离方法或者其他方法得到待转移的目标二维材料；然后，在该二维材料表面喷涂上聚碳酸亚丙酯胶；静置并加热使聚碳酸亚丙酯胶固化后，二维材料将依附于成形的聚碳酸亚丙酯薄膜下方；接着将该薄膜安装在载有聚二甲基硅氧烷缓冲层的微观操作手上，并借助光学显微镜精确对准到目标基底的目标位置；最后加热融化聚碳酸亚丙酯薄膜，并用有机溶剂去除残留的聚碳酸亚丙酯。本发明实现了二维材料的精确可控转移。该方法工艺简单、效率高且适用性广泛，有较好的扩展性，在微电子领域、生物检测领域和电池领域有着较广的使用前景。

公开(公告)号：CN103193189B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310054855.8

申请日：2013-02-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 陈云飞 ,  章寅 ,  刘磊 ,  沙菁 ,  袁志山 ,  倪中华 ,  易红

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/42 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G01N33/48721

Abstract: 本发明公开了一种用于DNA检测的多电极纳米孔装置及其制造方法，该纳米孔装置包括第一SiO2绝缘层、Si基底、SiO2掩膜层、Pt门电极、第二SiO2绝缘层、微米Pt径向电极、第三SiO2绝缘层、腐蚀槽、纳米通孔、电子束诱导沉积SiO2栅极绝缘层、电子束诱导沉积纳米Pt径向电极、Ag/AgCl电极、第一电流表、第一可调电压源、第二电流表、第二可调电压源、第三可调电压源。该纳米孔装置制造方法，首先采用传统MEMS工艺加工微米级基片，再使用双束系统中的气体注入系统和聚焦离子束系统，进行纳米级精度加工，制得多电极纳米孔装置。本发明通过门电极控制DNA分子穿过纳米孔时的速度，采集阻塞电流、遂穿电流信号，得到高分辨率待测DNA分子结构信息，完成DNA测序。

公开(公告)号：CN103105422A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310017817.5

申请日：2013-01-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 易红 ,  袁志山 ,  陈云飞 ,  倪中华

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种用于碱基序列检测的单层石墨烯纳米孔结构及其制备方法，将石墨烯微片转移到用半导体层支撑的氧化硅绝缘层表面，通过在石墨烯微片两端面的上表面制作金属微电极。再制作绝缘层将石墨烯微片和金属微电极表面覆盖，形成夹心结构。最后，通过释放半导体层和制作纳米孔实现氧化硅绝缘层、石墨烯微片和绝缘层间的贯穿。当待测碱基穿过纳米孔时，通过识别检测到的碱基电信号，实现碱基序列的识别。本发明工艺简单、成本低且结构体积小，与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，在生物医疗领域有着较广的使用前景。