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公开(公告)号：CN111855756A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910350247.9
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于Pd-Ag合金纳米晶氢气传感器，包括有金属氧化物敏感材料，所述金属氧化物敏感材料的表面负载有Pd-Ag合金纳米晶颗粒。本发明进一步提供一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器的制备方法及其应用。本发明提供的一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器及其制备方法，能够增强氢气传感器检测氢气的灵敏度，实现协同催化作用，其制备方法简单成熟、易于操作、价格低廉，用途先进、具有现实的应用意义，对易燃易爆气体的检测等有着积极的意义。
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公开(公告)号：CN110040678A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910313786.5
申请日：2019-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微传感器及其制备方法，微传感器包括：衬底，衬底的上表面形成有凹槽；热匀散结构层，悬置于凹槽的上方；支撑梁，位于凹槽的上方，且位于热匀散结构层与凹槽的侧壁之间；支撑梁一端与热匀散结构层相连接，另一端与衬底相连接；主体支撑层，至少位于热匀散结构层的上表面；限定环，位于主体支撑层的下表面，且位于热匀散结构层的外围；测试电极，位于主体支撑层的上表面；加热元件，位于主体支撑层的上表面；焊盘，位于衬底的上表面上，且位于凹槽的外侧。本发明的微传感器中加热元件下方设有热匀散结构，增强加热区域的散热能力，使得加热区域的温度均匀性好；加热元件与测试电极之间绝缘隔离，可以避免漏电，确保微传感器的性能。
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公开(公告)号：CN106629575B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610898632.3
申请日：2016-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种旁热式微传感器及其制造方法，包括：衬底，衬底内形成有凹槽；焊盘，位于凹槽外围的衬底表面；旁热式微传感器主体，位于凹槽的上方，包括：主体支撑层、旁式加热元件、第一绝缘层及敏感电极，旁式加热元件及敏感电极位于主体支撑层表面，且旁式加热元件位于敏感电极的外侧，第一绝缘层位于旁式加热元件表面；支撑梁，位于衬底及旁热式微传感器主体之间，适于将旁热式微传感器主体固支于衬底上；疏水疏油层，位于第一绝缘层表面、裸露的主体支撑层表面、裸露的衬底表面及支撑梁表面。本发明采用旁热式结构，减少了敏感材料所在区域绝缘层漏电对于敏感测试信号造成的干扰，在敏感电极区域实现简易的自对准式液态敏感材料上载。
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公开(公告)号：CN101590997B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910053221.4
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法，属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构，并且使用钛金铬三层复合金属作为引线，与硅压阻形成良好的欧姆接触，同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。
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