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公开(公告)号：CN204696070U
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201520451799.6
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/38
Abstract: 本实用新型提供了一种内置内导体的相对论速调管放大器输出腔的技术方案，该方案包括有漂移管、输出腔、输出腔端盖、输出同轴线外导体、收集极、内导体、内支撑杆和外支撑杆；漂移管与输出腔端盖连接；输出腔的外壁上设置有输出同轴线外导体；所述收集极通过外支撑杆固定在输出同轴线外导体内；收集极上设置有外鼻锥；收集极内部靠近外鼻锥的一端设置有内导体；内导体通过内支撑杆与收集极上的外鼻锥连接。该方案通过改进相对论速调管放大器输出腔结构，能够降低电子到达输出腔间隙时所需要的最低能量，提高相对论速调管放大器的输出微波功率和束波转换效率。
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公开(公告)号：CN211529908U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020560588.7
申请日：2020-04-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开一种真空高电压脉冲绝缘二极管，包括阳极外筒、阴极及绝缘子，所述阴极通过绝缘子共轴支撑在阳极外筒内，所述阳极外筒内还设置有脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环，所述脉冲源侧屏蔽环和真空侧屏蔽环分别设置于绝缘子两侧，所述脉冲源侧屏蔽环对应脉冲功率源侧设置，所述真空侧屏蔽环对应真空侧设置。本实用新型的真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能够有效匀化绝缘子附近电场分布并降低三相点电场强度，最终得到较高的绝缘梯度进而大幅缩小真空二极管的横向尺寸，提高系统的轻小型化水平，该种真空二极管高压脉冲径向绝缘结构能很好地应用于结构紧凑的脉冲功率和高功率微波源系统的真空高压脉冲二极管之中。
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公开(公告)号：CN208738174U
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201821753299.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J25/587
Abstract: 本实用新型涉及一种可调谐多天线轴向输出相对论磁控管，属于高功率微波技术领域，包括阳极外筒、阳极块、阴极和调谐组件，且阳极块包括多个扇形叶片和多个重入谐振腔，所述调谐组件包括调节盘、调谐螺杆和多个活动鼻锥，所述活动鼻锥的首端与调节盘连接，其末端嵌入重入谐振腔内部，所述重入谐振腔内部设有固定鼻锥，所述固定鼻锥与活动鼻锥的末端之间留有间隙以形成鼻锥间隙，所述调谐螺杆推动调节盘滑动以改变鼻锥间隙的轴向长度，本实用新型充分利用了磁控管的内部空间，不增加系统横向尺寸及磁体空间，提高了系统的轻小型化水平，可以在较宽调谐频率范围内保持较高的转换效率，适用于结构紧凑且频率可调轴向输出高功率微波系统之中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN219203086U
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202320249133.7
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种发射体轴线位置可调的二极管装置，包括阴极组件以及调节组件，所述阴极组件包括屏蔽碗阴极座、阴极支撑杆以及发射体，所述阴极支撑杆的一端与所述发射体连接，所述阴极支撑杆的另一端通过所述调节组件与所述屏蔽碗阴极座连接，所述调节组件可垂直于屏蔽碗阴极座的轴线移动，本实用新型利用调节组件调节发射体的中轴线，进而调节发射体发射的电子束轴线与器件外筒轴线的相对位置，适用于线性束高功率微波器件的实验调试，不需反复拆装和反复抽真空，提高了调试效率。
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公开(公告)号：CN208767251U
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201821663299.9
申请日：2018-10-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J25/587 , H01J23/213
Abstract: 本实用新型提供了一种轴向可调谐相对论磁控管，该方案充分利用了磁控管的内部空间，不增加系统横向尺寸，且不占用磁体空间，提高了系统的轻小型化水平。同时由于在调谐过程中不改变系统径向尺寸，对磁控管阻抗影响较小，可以在较宽频率范围内保持较高的转换效率。该种轴向调谐相对论磁控管能很好地应用于结构紧凑的频率可调高功率微波系统之中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204696071U
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201520431095.2
申请日：2015-06-23
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种双波段相对论速调管放大器的技术方案，该方案包括有漂移管、输入腔、第一中间腔、第二中间腔和输出腔；输入腔设置在漂移管靠近阴极的侧壁上；输出腔设置在漂移管远离阴极的一端；第一中间腔设置在输出腔和输入腔之间的漂移管上；第二中间腔设置在第一中间腔和输出腔之间的漂移管上。该方案采用同轴信号馈入结构的多间隙输入腔，采用两个分别谐振于低、高波段的中间腔，在输出腔采用距离可调节的输出过渡段，能够使输入腔工作于两个频点，使束流在需要的输出微波频点得到较高调制，使输出腔能工作于两个波段输出微波的频点。
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公开(公告)号：CN203839338U
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201420202353.5
申请日：2014-04-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J25/10 , H01J23/36 , H01J23/027
Abstract: 本实用新型公开了一种内置收集极的相对论速调管放大器输出腔，输出腔鼻锥从输入方向朝向收集极连接处外径逐渐变大，收集极从与输出腔鼻锥连接处朝向收集极主体方向内径逐渐变大，在支撑杆与输出腔端盖之间的输出腔外筒内壁上设置有凸台，且三根支撑杆在输出腔外筒内同一圆周截面上均匀分布；本实用新型在不降低输出腔内电场角向均匀性的情况下降低输出腔Q值，从而降低输出腔中的电场强度，减少回流电子，降低回流电子对相对论速调管放大器工作稳定性的不利影响；降低电子束轰击收集极内表面的功率密度，减小二次电子和其他杂质的产生；进一步防止二次电子和其他杂质逸出收集极，从而提高RKA长脉冲重频运行的能力。
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公开(公告)号：CN214959540U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121617775.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H04B7/0426 , H01Q21/00 , H01Q1/50 , H01Q1/36
Abstract: 本实用新型公开一种全方位辐射的高功率微波系统，包括用于产生高功率微波的高功率微波源、用于将高功率微波辐射到指定空间位置的辐射天线和用于连接高功率微波源和辐射天线的功率分配器，辐射天线由多个辐射阵面组成多面体结构，辐射阵面包括辐射面和设置于辐射面内侧的馈线，馈线内设置有用于对辐射阵面上的辐射波束进行指向调节的调相装置，功率分配器包括多路分别与高功率微波源连接的传输机构，每一路传输机构上均设置有用于控制该路传输机构是否传输微波的微波开关，多路传输机构分别与辐射天线的多个面对应且连接。该高功率微波系统具有波束覆盖范围广、拓扑结构简单的特点，其体积及重量均较小，控制方式简单，能够满足多种应用需求。
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公开(公告)号：CN211529910U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020600547.6
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/033 , H01J25/50
Abstract: 本实用新型公开了一种相对论磁控管的一体化制冷阳极外筒，包括内筒、冷却液外壳、设置于内筒及冷却液外壳之间的冷却液槽，所述冷却液外壳与内筒同轴排布并分别构成冷却液槽的上下边界，所述冷却液槽内设置有用于实现冷却液持续均匀流动的导流通道。本实用新型在冷却液槽内采用回形导流通道，保证了冷却液在冷却液槽内形成均匀的折叠流，在工作过程中可以将阳极上不同角向位置所产生的热量一次带走，不会导致由于冷却液分布不均而产生的局部温度过高。另外，本实用新型充分利用相对论磁控管的内部空间实现阳极块的冷却降温，既不增加系统横向尺寸，也不占用磁体空间，在实现对相对论磁控管的整个阳极区域制冷的同时提高了系统的轻小型化水平。
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公开(公告)号：CN209017044U
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201822142787.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H04B10/25
Abstract: 本实用新型公开了一种全光纤通信高功率微波源测控系统，包括测控平台和光纤通信处理单元，测控平台包括嵌入式控制处理器、时序信号产生、数字输入/输出、模拟信号输出、数据采集、串口通信和以太网通信接口七类功能模块，光纤通信处理单元包括数字信号、模拟信号、总线串行通信和以太网络四类光电转换处理功能模块。测控平台通过网络通信接口接收工作参数和运行指令，经内部各功能模块产生相应的开关操作、串口通信和时序控制，通过光纤通信处理单元的不同功能模块处理转换，采用多模光纤的通信介质形式连接至受控单元，返回运行状态信息至远程指控中心。全光纤数据接口的数字化信息传输网络，能很好地应用于强电磁环境的高功率微波源系统中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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