公开(公告)号：CN204325183U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420794825.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 中北大学

Inventor： 陈晓勇 ,  丑修建 ,  熊继军 ,  穆继亮 ,  安坤 ,  李惠琴 ,  杨杰 ,  许卓 ,  孙玉虹 ,  曹嘉峰

IPC: C06C5/00

Abstract: 本实用新型提供了一种复合自加热反射层聚能的半导体点火桥，由基底层、绝缘层、反射层、半导体桥层、分立焊锡层和分立的电极层自下而上顺序叠加而成；矩形半导体硅构成基底层；与基底层同尺寸的二氧化硅构成绝缘层，绝缘层覆盖在基底层上；反射层由浓硼（或磷）扩散掺杂的单晶硅制成，尺寸同基底层，沉积在绝缘层之上；半导体桥层由浓硼（或磷）注入掺杂的多晶硅组成，形状两端宽中间窄；半导体桥层两端上分别涂覆焊锡层；然后电极层直接高温键合在焊锡层上。本实用新型具有电能利用率高、点火输出大、发火瞬发性好的功能。