氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门

    公开(公告)号:CN104935327A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510379728.4

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门用具有双悬臂梁开关的MESFET代替传统MESFET,其中,两个悬臂梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的,两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET源-漏方向对称,MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触,在栅极下方的衬底中形成耗尽层,把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等,当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时,悬臂梁下拉与栅极紧贴使MESFET导通,当所加电压小于N型MESFET的阈值电压时,悬臂梁开关就不能下拉,MESFET关断,在或非门工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。

    一种钢桥面防水粘结材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115232587B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202210778802.X

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明公开了一种钢桥面防水粘结层材料及其制备方法。本发明所述钢桥面防水粘结层材料包括主剂及固化剂,所述主剂包含环氧树脂、多官能团特种环氧树脂、缩水甘油酯及偶联剂,所述固化剂包含油基伯胺、扩链固化控制剂及抗氧化剂。本发明通过油基伯胺使产品具有优异的柔韧性和弹性恢复;通过引入扩链固化控制剂,提高表干的固化物施工抗损伤性能;通过多官能团特种环氧树脂和双酚A型环氧树脂抑制防水粘结层材料主剂结晶问题,同时增加其施工和易性;通过扩链固化控制剂、多官能团特种环氧树脂、油基伯胺和具有对称酚羟基结构的抗氧化剂有机结合到一起,实现钢桥面防水粘结层材料的二阶固化。

    一种代替SBS的生物热塑性弹性体的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114605653A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210411061.1

    申请日:2022-04-19

    Abstract: 本申请公开了一种代替SBS的生物热塑性弹性体的制备方法及其应用,向环氧植物油中加入含有活泼碳碳双键的酸(酸酐)或酰胺,恒温反应得到改性环氧植物油单体;将改性环氧植物油单体通过聚合苯乙烯或其衍生物得到的聚苯乙烯型衍生物大单体,混溶于四氢呋喃,恒温聚合得到PS‑PA型热塑性弹性体;将制得的二嵌段聚合物,聚苯乙烯型衍生物大单体,混溶于四氢呋喃,恒温聚合得到PS‑PA‑PS型热塑性弹性体。本申请的一种代替SBS的生物热塑性弹性体的性能与传统热塑性弹性体接近,有效减少了丁二烯的使用,保护环境;作为改性剂可以有效改善沥青的高温性能,低温性能和抗疲劳性能;可以广泛运用于高速公路的沥青路面的铺装中。

    一种保留拓扑信息的三维点云获取方法

    公开(公告)号:CN108010123B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201711178471.1

    申请日:2017-11-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种保留拓扑信息的三维点云获取方法,首先,利用相机通过围绕式或低空航拍获取图像,并对图像进行灰度化、高斯去噪、照片对齐等数据预处理;其次,进行保留拓扑信息的特征点提取与匹配;然后,解算三维点云并将二维拓扑关系映射到三维空间,获取的点云数据成果可用于构建三维模型。本发明与目前常规的基于序列图像的三维点云获取方法相比,具有点云分布均匀、自带三维拓扑信息的优势,可显著提高构建三维模型的精度。

    一种不等匝单双层绕组铸铜转子感应电机

    公开(公告)号:CN108336878A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810232818.4

    申请日:2018-03-21

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 程明 王小虎

    Abstract: 本发明涉及一种不等匝单双层绕组铸铜转子感应电机,包括定子、转子和转轴,所述转子位于定子内,且定子和转子之间有气隙,所述定子包括定子齿、定子槽、电枢绕组和定子轭,所述转子包括转子铁心、导条和端环;其创新点在于:所述电枢绕组采用的绕组型式为单双层绕组,且每相双层元件s与单层元件d的排布方式s-d-d-s,且对应的有效匝数比近似为1:1.4:1.4:1或1:2.5:2.5:1,每相绕组为同心式接法,三相构成三角形接法。转子导条采用外宽内窄的梨形闭口槽结构,且为直槽结构。本发明可节省定子绕组用铜,削弱5、13、23次或7、11次谐波,降低电机温升,提高电机效率。

    硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器

    公开(公告)号:CN105024661B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510379387.0

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管乙类推挽功率放大器包括三个悬臂梁栅NMOS管,一个悬臂梁栅PMOS管,恒流源和LC回路构成。三个悬臂梁栅NMOS区别仅在于它们的悬臂梁栅的形状不同,第一悬臂梁栅NMOS管(1)的悬臂梁栅为宽梁,第二悬臂梁栅NMOS管(15),第三悬臂梁栅NMOS管(16)的悬臂梁栅为窄梁。该功率放大器的悬臂梁栅MOS管是制作在Si衬底上,其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的,形成悬臂梁结构。该交叉耦合的悬臂梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路,从而补偿LC回路中电感的寄生电阻,从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

    硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器

    公开(公告)号:CN104993793A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510380084.0

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器用具有悬臂梁栅的MOS管代替传统的MOS管。悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器由交叉耦合的悬臂梁栅NMOS管,谐振LC回路和恒流源构成。该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅NMOS管是制作在P型Si衬底上,该悬臂梁栅MOS管的栅极是悬浮在栅氧化层上方的,形成悬臂梁栅,悬臂梁栅下方设计有下拉电极板,下拉电极板接地,相对于传统MOS管在截止时栅极氧化层很薄,导致栅极氧化层中的场强很大会产生一定的栅极漏电流,该交叉耦合振荡器中的悬臂梁栅MOS管关断时,悬臂梁栅是悬浮的,栅极氧化层中的场强比较小,栅极漏电流大大减小,从而使得该硅基悬臂梁栅MOS管交叉耦合振荡器的功耗得到有效的降低。

    氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法

    公开(公告)号:CN104967407A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510379740.5

    申请日:2015-07-01

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 廖小平 王小虎

    Abstract: 本发明是氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法,用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的悬臂梁开关的下拉电极接地,设计两个悬臂梁开关MESFET的阈值电压相等,悬臂梁开关MESFET的阈值电压和它的悬臂梁下拉电压相等,当悬臂梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值,所以悬臂梁开关被下拉到栅极上,悬臂梁开关与栅极紧贴,同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压,所以MESFET导通。当MESFET的悬臂梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压,悬臂梁开关是悬浮在栅极上方,处于截止。该GaN基低漏电流悬臂梁开关MESFET的交叉耦合振荡器产生稳定振荡,从而降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。

Patent Agency Ranking