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公开(公告)号：CN104034604A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410243543.6
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种绝缘衬底上薄膜硅材料残余应力的测试结构及方法，其测试结构由两组结构构成。其中第一组由一个多晶硅悬臂梁、一个薄膜硅双端固支梁、一个由薄膜硅制作的垫板组成；第二组由一个多晶硅悬臂梁和一个由薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅残余应力的单元是薄膜硅双端固支梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅双端固支梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅双端固支梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅双端固支梁达到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的残余应力。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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公开(公告)号：CN102589965B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210005078.3
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅泊松比在线测试结构，包括绝缘衬底、非对称的多晶硅十字梁、第一多晶硅下极板和第二多晶硅下极板，并通过静电力驱动的方式使非对称的多晶硅十字梁发生偏转，从而根据几何关系和材料力学原理获得多晶硅材料的泊松比参数。本发明通过激励电压所产生的静电力使测试结构发生转动，通过结构设计使最大扭转角成为已知量，并根据测试结构达到最大扭转角时的激励电压测量值，以及已知的结构几何参数和物理参数计算得到多晶硅材料的泊松比，因而测试设备要求低，且测试方法简单，测试过程及测试参数值稳定。多晶硅加工制备过程与后续微机电器件（MEMS）的制造同步进行时，没有特殊加工要求，完全符合在线测试的要求。
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公开(公告)号：CN103439031A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310401239.5
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
IPC: G01L1/06
Abstract: 本发明提出了一种双层薄膜材料残余应力的测试结构，其中测量单元为圆柱支撑的第一层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘平面上覆盖有另一层薄膜材料形成双层薄膜圆盘结构，在第一层薄膜圆盘边缘直径方向上延伸出一个直梁，直梁末端有一投影游标。利用简单双层薄膜圆盘结构并配合投影游标，可以获得MEMS常用薄膜材料的残余应力，并且可以推广到更多层薄膜材料情况下的各层薄膜残余应力测试，测量方法和参数提取的计算方法极其简单。
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公开(公告)号：CN103424064A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310399640.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种用于测量微机电结构微小几何尺寸变化量和（或）移动量的高分辨率测微游标尺结构，该高分辨率测微游标尺结构包括：一维移动测量游标尺、用于移动量放大的杠杆机构和相对型电热执行器。该装置利用电流产生热驱动方式移动测试探头，利用杠杆结构增强灵敏度，利用特殊的游标尺测量等效移动量，由杠杆的放大倍率设计可以有效且简单地提高测微分辨率。
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公开(公告)号：CN102963857A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210396317.2
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种电磁驱动调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括左移电磁执行器、右移电磁执行器、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，左移电磁执行器与左移定齿的一端连接，左移定齿的另一端连接在第一锚区上，右移电磁执行器与右移定齿的一端连接，右移定齿的另一端连接在第一锚区上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、两个第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、两个第二折叠梁；动齿包括质量块、动齿梳齿、两个第二锚区和两个第三折叠梁；第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在电磁驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101975870B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010501541.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 东南大学
Inventor： 李伟华
Abstract: 本发明提出的矩形硅膜二维风速风向传感器采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)有16个，分别位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。
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公开(公告)号：CN101916043B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010236322.8
申请日：2010-07-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模版(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模版(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩膜版(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。
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公开(公告)号：CN101916043A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010236322.8
申请日：2010-07-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强分布模拟方法，该方法用于厚胶介质补偿紫外光垂直光刻工艺三维光强模拟模型，该模型为立方体，自上到下依次包括相互平行的掩模板(M)、补偿介质(C)、厚胶(R)和衬底(W)，在掩模板(M)设有掩模孔，该掩模孔的四个边界定点的坐标分别为A1(x1，y1，0)、A2(x2，y2，0)、A3(x3，y3，0)和A4(x4，y4，0)，补偿介质(C)的厚度为d1，厚胶(R)的厚度为d，厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)；厚胶(R)内任意一个网格坐标P(x，y，z)到掩模板(M)的距离为z。该方法解决了目前没有厚胶紫外光垂直光刻工艺的高精度三维光强分布模拟方法的问题。
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公开(公告)号：CN101510509A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910030067.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 硅(100)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，提供了一种补偿图形的拓扑结构，由此拓扑结构可以产生出多种多样的直角形式凸角补偿图形，对于硅(100)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由两条 晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。硅的各向异性腐蚀技术是指在硅的腐蚀过程中，硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，采用硅各向异性腐蚀技术能够制造许多种微机电系统(MEMS)结构。本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。
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公开(公告)号：CN101510508A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910029826.X
申请日：2009-03-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00
Abstract: 硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由 晶向和 晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。所有直角补偿图形的外轮廓均起始于表示 晶向的直线b1(或b2)，并且具体图形可以由下列方法之一生成：本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。同时，因为本发明所提供的技术方法具有明确的技术路径，非常适合应用到计算机辅助设计系统中。
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