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公开(公告)号：CN113122745B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110359061.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 东北大学
IPC: C22C1/05 , C22C1/10 , B22F9/08 , B22F1/142 , B22F1/145 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F9/04 , C22C5/06 , C22C32/00 , C22F1/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明属于电工材料制造领域，公开了一种银氧化锡复合电接触材料制备方法。采用粉末预氧化法和粉末冶金法相结合的工艺制备的电接触材料，使得导电陶瓷颗粒在Ag基体中的分布非常均匀，而且由于导电陶瓷的添加不仅降低了材料的电阻率，还赋予材料很好的抗电弧侵蚀性以及灭弧性。此工艺得到的第二相颗粒尺寸小于1μm，晶粒细化后材料的硬度及电寿命得到了提升。本发明可以满足材料在交流和直流的大电流条件下的使用，电寿命均超过15万次以上。
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公开(公告)号：CN113059158A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110301701.9
申请日：2021-03-22
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束制备高硅铝硅合金涂层的工艺方法，包括以下工艺步骤：(1)混粉：按照原料的配比将Al粉、Si粉、稀土氧化物粉末放入混粉机中进行混粉；(2)表面预处理：将混粉后的混合粉末摻入胶黏剂，并将其涂抹在抛光后的铝块上；(3)电子束表面改性：将表面预处理后的铝块置于6×10‑3Pa的真空条件下，对其表面进行电子束处理，获得产品。本发明方法工艺操作简单，绿色环保，本发明将电子束与粉末冶金工艺技术结合，解决了传统熔炼法制备的高硅铝硅合金经电子束产生的微裂纹无法用稀土消除的问题。由于粉末冶金工艺制备的合金初生硅尺寸可控，可实现初生硅的细化，进而充分发挥了稀土消除电子束处理后产生的微裂纹和熔坑的作用。
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公开(公告)号：CN110902671A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910991814.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/19 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于材料制备领域，提出了一种低层数石墨烯的制备方法。本发明首先要制备出氧化石墨烯，将氧化石墨烯进行相关预处理，引入羟基进行酯化，破坏层与层之间的距离。破坏其范德华力，使石墨烯层片之间分离，从而达到制备高纯石墨烯的目的。本发明整个制备工艺操作简单、制得的石墨烯分层非常明显，比表面积较好。石墨烯用于锂离子电池后，电池容量会有很大的提高，循环性能更加优良。
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公开(公告)号：CN109626416A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910100938.3
申请日：2019-01-31
Applicant: 东北大学
IPC: C01G23/02
CPC classification number: C01G23/022
Abstract: 本发明涉及一种制备四氯化钛的熔化型氯化炉设备及方法，属于海绵钛生产技术领域。包括排气装置、炉顶、水冷导电棒、外壳、炉口、溢流管道、配电黏土砖及热电偶。本发明首先进行氯化处理，是将高钛渣和石油焦悬浮在熔盐介质中和氯气反应。在对废弃熔融物处理，温度应控制在720℃～770℃之间，并安装一个由液力排除炉缸、管道系统和沉淀槽组成的设备，使废弃物通过上部填料口定期的排放出。生成的气体蒸汽混合物也从上部排气装置排出。本发明利用在熔化型氯化炉中借助熔化氯盐来生产四氯化钛，简化凝结过程，解决了原料含Ca、Mg含量高、氯化速率慢的问题，从而获得纯度更高的四氯化钛产品。
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公开(公告)号：CN118156470A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410365505.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 东北大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及材料制备及应用领域，公开了一种低温化学膨胀氮掺杂双改性石墨烯负极材料的制备及应用。本发明摒弃传统的hummers法，制备了高氧含量插层的酸性氧化石墨烯，经过沉淀分离，冷冻干燥获得黄棕色粉末AGO。静电自组装AGO和导电型聚苯胺获得高导电性氮掺杂石墨烯；再球磨GN和AGO后利用简单无溶剂的低温化学膨胀新技术获得双改性的功能化石墨烯氮掺杂纳米粒子，同时解决单一石墨烯导电性差及单一氮掺杂石墨烯比表面积及孔隙率低的问题。本发明制备过程原理简单、操作可行性强，制备的材料为介孔结构，比表面积大、导电性好，用于锂离子电池后，可促进离子的快速迁移，提高比容量，倍率性及循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111591981B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010318601.2
申请日：2020-04-21
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明属于材料制备领域，提出了一种低层薄纱状掺氮石墨烯的制备方法。本发明利用乙醇插层技术将氧化反应后的溶液分散于乙醇溶剂中，超声后加入适量二乙醇胺置于反应釜中加热，抽滤、干燥，获得掺氮石墨烯。其次含氮石墨烯放在真空管中，微波炉中嵌入一定时间后，微波能量通过石墨杂化结构中的π电子移动转化为热量，将前驱体中含氧官能团分解为CO2和H2O气体，气体产生的压力超过片层间的范德华力，此时掺氮石墨烯片层被剥离开，获得1‑4层多孔含氮石墨烯粉体材料。本发明整个制备流程简单、原料成本低制得的含氮石墨烯具有多孔且相互连接的三维结构、比表面积大以及较好的导电性，用于超级电容器后，可促进电解质离子的快速扩散，提高比容量。
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公开(公告)号：CN112609247B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011231385.4
申请日：2020-11-06
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种静电纺丝法制备银氧化锡电接触材料的方法，采用静电纺丝法预先制备银氧化锡纤维材料，然后按照冲断压制‑烧结‑热镦‑挤压‑拉拔工艺制备银氧化锡丝材。本发明可以获得以下技术效果：采用静电纺丝法制备的银氧化锡电接触材料，可以获得纤维状的微观结构，有利于电流的传输，且SnO2颗粒的分布在Ag基体中的分布也非常均匀，Ag与SnO2的界面也结合的很好，拥有良好的加工性能和电性能。
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公开(公告)号：CN111636005B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010317715.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种银导电陶瓷电接触材料的制备方法，采用粉末冶金法制备电接触材料，经过混粉、等静压、烧结、复压、热镦、热挤压等工序制备而成。本发明可以获得以下技术效果：采用本发明制备工艺所制备的材料可以获得导电陶瓷颗粒分布均匀的组织，而且由于添加物的作用，Ag与导电陶瓷颗粒的界面也结合良好，所生产的触点材料的电阻率较低，满足在交流和直流的大电流条件下的使用，电寿命均超过15万次以上。
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公开(公告)号：CN109626416B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910100938.3
申请日：2019-01-31
Applicant: 东北大学
IPC: C01G23/02
Abstract: 本发明涉及一种制备四氯化钛的熔化型氯化炉设备及方法，属于海绵钛生产技术领域。包括排气装置、炉顶、水冷导电棒、外壳、炉口、溢流管道、配电黏土砖及热电偶。本发明首先进行氯化处理，是将高钛渣和石油焦悬浮在熔盐介质中和氯气反应。在对废弃熔融物处理，温度应控制在720℃～770℃之间，并安装一个由液力排除炉缸、管道系统和沉淀槽组成的设备，使废弃物通过上部填料口定期的排放出。生成的气体蒸汽混合物也从上部排气装置排出。本发明利用在熔化型氯化炉中借助熔化氯盐来生产四氯化钛，简化凝结过程，解决了原料含Ca、Mg含量高、氯化速率慢的问题，从而获得纯度更高的四氯化钛产品。
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公开(公告)号：CN111636005A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010317715.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种银导电陶瓷电接触材料的制备方法，采用粉末冶金法制备电接触材料，经过混粉、等静压、烧结、复压、热镦、热挤压等工序制备而成。本发明可以获得以下技术效果：采用本发明制备工艺所制备的材料可以获得导电陶瓷颗粒分布均匀的组织，而且由于添加物的作用，Ag与导电陶瓷颗粒的界面也结合良好，所生产的触点材料的电阻率较低，满足在交流和直流的大电流条件下的使用，电寿命均超过15万次以上。
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