一种适用于空间电源系统的分离采集模块

    公开(公告)号:CN108536062A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810307501.2

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种适用于空间电源系统的分离采集模块,包含:多通道开关矩阵、数模分离单元、AD转换单元和中央处理单元;中央处理单元用于控制多通道开关矩阵对多通道模拟量信号进行分时选通,进而实现对多通道模拟信号分离的分时采集;数模分离单元用于将中央处理单元的数字量和模拟量的信号地与空间电源系统的功率地分离;AD转换单元用于将选通的空间电源系统的多通道模拟量信号转换为中央处理单元能够处理的数字信号并向中央处理单元传输;中央处理单元对接收到的数字信号进行处理。本发明能够有效提高空间电源系统运行可靠性的优点。

    一种采用数字-指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN106252463B

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201610801789.X

    申请日:2016-09-05

    CPC classification number: H01L31/0304 H01L31/18

    Abstract: 本发明公开了一种采用数字‑指数混合方式掺杂功能区的太阳电池及其制备方法,该制备方法采用数字掺杂配合指数掺杂的方式制备该太阳电池的功能区;其中,数字掺杂配合指数掺杂的方式是指:掺杂区分段进行数字式掺杂,掺杂剂的流量以数字式跃变掺入到反应室中;而在相邻的两个掺杂浓度之间采用指数式变化。本发明提供的采用数字‑指数混合掺杂方式的太阳电池,在太阳电池的主要功能层中采用该数字‑指数混合掺杂方式,以形成增强的内建电场,促进光生载流子更有效地分离。采用该结构能显著增强光生载流子的寿命,从而提高载流子的迁移率,对电池的开路电压提升尤为显著,为下一代超高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。

    复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法

    公开(公告)号:CN106503374A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610966723.6

    申请日:2016-10-28

    CPC classification number: G06F17/5009

    Abstract: 本发明公开复杂结构的化合物半导体器件的结构描述方法,包含:分析器件结构的几何特征、物理特征、数值特征参数表现形式生成五种典型数据类型;确定典型数据类型对应的成员赋值语法规则;化合物半导体器件结构分解成五种典型数据类型并写成结构描述文件;生成面向器件结构描述文件的动态指针,依据描述语法规则读取结构描述文件;确定数值计算专属文件的储存排列及数据格式;以实验数据和动态指针储存的器件结构转换成模型参数、位置和维数固定数组表达得数值计算专属文件。本发明使得输入含有多个内部异质结界面、多个内部面掺杂、多个量子限制区域、多个非局域量子隧穿区域的复杂结构化合物半导体器件的结构变得可能与方便。

    一种含有双背场结构的太阳电池

    公开(公告)号:CN103579388B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201310614542.3

    申请日:2013-11-28

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种含有双背场结构的太阳电池,该太阳电池为双背场结构;基区厚度为100~500nm,双背场结构中每个背场的厚度分别为5~100nm。基区采用GaInP,双背场结构中一个背场采用Al0.13GaInP,另一个背场采用Al0.25GaInP。或者基区采用Al0.13GaInP,双背场结构中一个背场采用Al0.20GaInP,另一个背场采用采用Al0.25GaInP。本发明提供的含有双背场结构的太阳电池,能解决宽带隙太阳电池中的背场材料选择问题,提升背场的钝化效果,改善载流子的迁移率和有效寿命,为多结高效太阳电池的研制提高了保障。

    一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路

    公开(公告)号:CN114977093A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210551221.2

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 一种宇航用高压母线供配电系统过欠压保护电路,实现了宇航用高压母线输入配电MOS管的欠压及过压保护锁死功能。电路包括上下限电压检测单元,配电MOS管通断单元和保护锁死单元。上下限电压检测单元包括限流电阻,电压调整管和二极管,可以生成母线输入的欠过压保护信号并传递至MOS管通断单元。MOS管通断单元包括PMOS管,分压电阻,驱动三极管,可以实现对输入母线的开通与关断。保护锁死单元包括一对NPN和PNP三极管,当保护信号发出后实现对配电MOS管的锁死,待欠过压信号解除并重新通电后方能解锁。本发明的电路,欠压、过压检测由同一电路实现,配电MOS关断时不会造成电源重启,避免在保护点的震荡,结构简单,利于电源小型化,节约成本。

    具有电流守恒特性的能带间非局域量子隧穿模拟方法

    公开(公告)号:CN106339562B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201610802974.0

    申请日:2016-09-05

    Abstract: 本发明公开一种具有电流守恒特性的能带间非局域量子隧穿模拟方法,包含:离散半导体器件物理区域生成以所求解物理变量的结点值增量为变量的线性方程组;处理非局域量子隧穿,确定公共能量区间定义第一边和第二边;插值所产生的点对点隧穿电流密度及能量积分体积进行权重分配;线性方程组的系数矩阵分为通常微分方程离散所引起的主矩阵和具有电流守恒特性的非局域量子隧穿所引起的附加系数矩阵并存储;采用高斯消原法求解系数矩阵。本发明保证非局域量子隧穿电流守恒性,消除非守恒所带来的模拟误差与不确定性;利用主矩阵与辅助关联矩阵相结合的方法能够快速求解非线性方程组线性化得到的系数线性方程组,提高求解效率。

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