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公开(公告)号：CN108823604A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810977839.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟；本发明方法能防止阳极泥污染电解液，并能选择透过有用离子，达到有效除去与In电位相近的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高、成本低，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN117735855A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311753938.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 昆明理工大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C03C17/25 , C03B27/012
Abstract: 本发明公开了一种耐高温涂膜隔热钢化玻璃及制备方法，其特征在于，按如下制备步骤：在氧化物半导体纳米颗粒中加入有机硅低聚物、钛偶联剂、水溶性铋或锌盐、炔二醇型消泡剂以及有机溶剂组成隔热涂层浆料，将玻璃原片清洗，除静电，再将隔热涂层浆料辊涂或者喷涂于普通玻璃基体表面，并在160～280摄氏度下加热3～5分钟进行固化，然后推进钢化炉内，在650～700摄氏度下加热5～15分钟进行钢化，待冷却后得到耐高温隔热涂膜钢化玻璃；本发明的有益效果：有机硅低聚物大幅度提高了涂膜的力学强度，在烧结过程中硝酸盐或醋酸盐消除了微孔的存在，解决有机硅烧结过程中产生大量空隙的问题，氧化物半导体纳米颗粒作为隔热材料提高了涂膜的耐高温效果。
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公开(公告)号：CN114655979B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210367328.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种利用砷化镓废料制备氢氧化镓的方法，将砷化镓废料磨至0.15～0.25mm，按液固比3.5～4：1加入质量浓度30～40％的硫酸溶液，再加入质量浓度35％的双氧水，加热至90～100℃浸出，得到酸溶液；向酸溶液中加入氢氧化钙，使酸溶液中的砷形成砷钙渣，以除渣形式除去砷离子，滤液为硫酸镓溶液；或者用树脂吸附除去砷离子，得到硫酸镓溶液；向硫酸镓溶液中加入硫酸铵，得到硫酸镓铵溶液，加热蒸发，得到硫酸镓铵晶体；将硫酸镓铵晶体溶于水中，得到硫酸镓铵溶液，加热硫酸镓铵溶液至70～90℃，加热时间2～4小时，得到沉淀的氢氧化镓。本发明方法可将砷化镓废料中的Ga制备成氢氧化镓，操作简单，成本低，既解决了废料堆存问题，又可以制备出氢氧化镓。所得氢氧化镓可进一步制取镓或者氧化镓。
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公开(公告)号：CN114934198A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210487994.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 一种基于机器学习优化真空蒸馏制备高纯铟的方法，选择电解法制得的5N铟为原料，用真空蒸馏炉进行真空蒸馏两次提纯；根据两次提纯得到的工艺参数，构建高纯铟实验数据库，然后利用机器学习方法辅助解析真空蒸馏过程，建立多因素耦合的机器学习模型，预测产品质量并优化一定范围内的实验工艺参数，达到优化高纯铟真空蒸馏提纯工艺的目标。本发明借助机器学习方法，建立真空蒸馏优化模型，通过数据库数据，检验真空蒸馏模型准确性，预测并优化真空蒸馏实验工艺参数，实现高纯铟真空蒸馏提纯工艺优化，可提高高纯铟纯度，固化生产工艺参数，增强生产可控性，提高生产效率，为半导体行业提供优质的高纯金属材料。
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公开(公告)号：CN108823604B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810977839.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟；本发明方法能防止阳极泥污染电解液，并能选择透过有用离子，达到有效除去与In电位相近的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高、成本低，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN109735724A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910123218.9
申请日：2019-02-18
Applicant: 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本发明公开了一种一次真空蒸馏制备6N高纯铟的方法，其以4N金属铟为原料，在真空状态下通过一次真空蒸馏法制得6N高纯铟；本发明方法无“三废”排放，一次真空蒸馏法能有效除去饱和蒸气压与In相差较大的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高，易于实现扩大生产。
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公开(公告)号：CN220149629U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321507062.2
申请日：2023-06-13
Applicant: 上海大学 , 云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心
Abstract: 本实用新型公开了一种超纯锡棒材生产设备，属于高纯材料制备领域。它包括真空腔体和引晶装置，所述真空腔体下部装有容纳装置，上部装有冷凝装置，所述容纳装置的外侧装有加热装置；所述引晶装置包括引晶杆、籽晶和旋转机构；所述引晶杆安装在真空腔体的顶部，其下端固定连接籽晶，控制籽晶旋转和升降；所述旋转机构安装在真空腔体的底部，其传动连接容纳装置，控制容纳装置旋转。本实用新型能够实现7N超纯锡的高效制备，且生产成本较低，产品质量稳定。
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