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公开(公告)号：CN118422126A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410562168.5
申请日：2024-05-08
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜的制备方法，属于多层膜磁控溅射制造技术领域。本发明利用磁控溅射技术，通过非晶态CuZr层和晶态Cr层的交替沉积叠加，在非晶态CuZr中引入了厚度呈梯度分布的晶态Cr层，获得了强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜，非晶态CuZr层和晶态Cr层间具有良好的结合力，获得的强韧型非晶态CuZr‑晶态Cr梯度多层膜各层之间良好结合，无裂纹等缺陷产生。梯度晶态Cr层的引入显著提高了非晶态CuZr的强韧性。
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公开(公告)号：CN116536628A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310522641.2
申请日：2023-05-10
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提出了一种利用磁控溅射制备纳米级非晶超导薄膜的方法及产品，属于超导薄膜技术领域，该方法包括以下步骤：在氩气环境下，利用磁控溅射，以30‑60W的溅射功率溅射10min‑3h，将靶材Mo80Nb20沉积至Si衬底，得到所述纳米级非晶超导薄膜。本发明还公开了上述方法制备得到的纳米级非晶超导薄膜。本发明通过调整溅射过程中的功率以及溅射时间，简化了制备工艺，降低了成本，且制备出来的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜厚度分布均匀，质量和结构稳定。采用本发明制备的Mo80Nb20纳米级非晶超导薄膜具有较高的临界转变温度，且存在明显的厚度相关性。
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公开(公告)号：CN114807875A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210424640.X
申请日：2022-04-21
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种难混溶金属的非晶态合金厚膜的制备方法，就是将难混溶的金属拼接成靶材，用聚焦离子源以一定能量轰击靶材，将本来难以混溶的原子溅射出来并沉积到旋转的衬底上，衬底的旋转使得合金成分均匀。由于冷却速度非常高，难混溶原子来不及进行相分离而形成非晶态合金。在溅射沉积的同时，用辅助离子源对正在生长的合金膜表面用较小的能量和束流进行轰击，提高薄膜在沉积过程中的致密性，从而实现对非晶态难混溶合金厚膜的制备。该方法可显著提高合金的非晶形成能力，所制备的难互溶合金膜厚度甚至可以达到100微米以上，尺寸大，致密度高。
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公开(公告)号：CN110067011A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910243394.6
申请日：2019-03-28
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种制备块体纳米晶镍的方法及电沉积装置，阳极为金属镍制成的电沉积阳极；利用搅拌器进行搅拌，使电解液中金属阳离子浓度均匀；通过固定装置将电动机转动输出轴与阴极固定连接组成除气装置，利用电动机驱动阴极旋转，从而甩掉在阴极表面产生的气泡。本发明方法用电动机钻夹头固定阴极基体，使得钻夹头和阴极基体可以做高速同心转动并不发生滑落。打开电动机，使其高速转动，接通电源并设定电流，经过一段时间的电沉积之后，即可制得一定尺寸的纳米晶镍。本发明能有效控制电沉积过程中由于阴极氢气析出而产生的缺陷，从而提供一种能高效、经济地制备块体纳米晶镍的电沉积装置和方法，所制得的块体镍内部缺陷少，力学性能优异。
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