公开(公告)号：CN109561864B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780046916.2

申请日：2017-07-10

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  堀场日明 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC: A61B6/00 ,  G01N23/041

Abstract: 本X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)，其照射连续X射线；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测连续X射线；以及第三光栅(2)，其配置在检测部(5)与第一光栅(3)之间。而且，以满足规定的式的条件的方式配置第一光栅(3)、第二光栅(4)以及第三光栅(2)。

公开(公告)号：CN112869756A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011178422.X

申请日：2020-10-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: A61B6/00

Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。该X射线相位成像装置具备图像处理部，该图像处理部基于在相位对比度图像中沿着从X射线的光轴方向看来与平移方向正交的正交方向产生的渐变的分布状态，来校正该渐变。

公开(公告)号：CN111839558A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010213056.0

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: A61B6/00 ,  G01N23/041

Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。在该X射线相位成像装置中，多个光栅中的至少一个光栅由沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向排列配置的多个光栅部分构成，所述第一方向是利用移动机构使被摄体或摄像系统移动的方向，所述第二方向是X射线源、检测部以及多个光栅排列的方向。而且，多个光栅部分构成为：从第一方向观察时，相邻的光栅部分彼此重叠。

公开(公告)号：CN109475335A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044614.1

申请日：2017-07-10

Applicant: 株式会社岛津制作所 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 堀场日明 ,  田边晃一 ,  吉牟田利典 ,  木村健士 ,  岸原弘之 ,  和田幸久 ,  和泉拓朗 ,  白井太郎 ,  土岐贵弘 ,  佐野哲 ,  志村考功 ,  渡部平司 ,  细井卓治

IPC: A61B6/00

Abstract: 该X射线相位差摄像装置(100)具备：X射线源(1)；第一光栅(3)，其用于形成自身像；第二光栅(4)；检测部(5)，其检测X射线；调整机构(6)；以及控制部(7)，其进行基于由检测部(5)检测出的莫尔条纹图案来调整第一光栅(3)的位置偏移或第二光栅(4)的位置偏移的控制。

公开(公告)号：CN1387238A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02120360.1

申请日：2002-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 和田幸久 ,  久米聪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/823864

Abstract: 一种半导体装置的制造方法,在栅极的侧面上形成包含NSG膜、TEOS膜等的第一氧化膜和BPSG膜、PSG膜等的第二氧化膜的层叠膜侧壁。然后,在把层叠膜侧壁作为用于形成MIS晶体管的源、漏极的注入掩模使用后,在有选择地除去第二氧化膜时,用包含氢氟酸和醋酸或异丙醇的水溶液进行湿蚀刻。据此,使各氧化膜的蚀刻选择比增大,只除去上层的第二氧化膜。能避免蚀刻选择比劣化。

公开(公告)号：CN1249795C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02120360.1

申请日：2002-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 和田幸久 ,  久米聪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/823864

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在栅极的侧面上形成包含NSG膜、TEOS膜等的第一氧化膜和BPSG膜、PSG膜等的第二氧化膜的层叠膜侧壁。然后，在把层叠膜侧壁作为用于形成MIS晶体管的源、漏极的注入掩模使用后，在有选择地除去第二氧化膜时，用包含氢氟酸和醋酸或异丙醇的水溶液进行湿蚀刻。据此，使各氧化膜的蚀刻选择比增大，只除去上层的第二氧化膜。能避免蚀刻选择比劣化。