分接头切换器
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103985569A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201310501561.5

    申请日:2013-10-23

    CPC classification number: H01F29/04 H01H1/56 H01H1/62 H01H9/0016

    Abstract: 本发明提供一种分接头切换器,其中,多个分接头切换机构群中的位于旋转轴(11)的端部的端部侧分接头切换机构群(100a、100b)中的多个固定接点连接部件(111a、111b)和多个输入导体(108a、108b)的输入连接点(118a、118b),在旋转轴(11)的轴方向(1)上,与端部侧分接头切换机构群(100a、100b)的中心(2a、2b)相比,位于靠近多个分接头切换机构群整体的中心(3)侧,并且,端部侧分接头切换机构群(100a、100b)中的固定元件连接部件(151a、151b)和输出导体(109a、109b)的输出连接点(119a、119b)在旋转轴(11)的轴方向(1)上,与端部侧分接头切换机构群(100a、100b)的中心(2a、2b)相比,位于靠近多个分接头切换机构群整体的中心(3)侧。

    静止器
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102782782A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201080064857.X

    申请日:2010-10-22

    CPC classification number: H01F27/245 H01F27/34

    Abstract: 静止器具备:铁芯(2、42),包括向一个方向层叠了的多个磁性板(9、49),并形成有具有主表面(10、44)以及侧面(94、45)的轴部(3、43);以及线圈(11、51),卷绕于轴部(3、43)。主表面(10、44)在多个磁性板(9、49)的层叠方向上与线圈(11、51)的内周面相向。侧面(94、45)在与上述层叠方向正交的方向上与内周面相向地连接主表面(10、44)彼此。在多个磁性板(9、49)中的至少构成主表面(10、44)的表层磁性板(97、47)中形成了在轴部(3、43)的轴方向上延伸的狭缝(8、48)。在主表面(10、44)的侧面(94、45)侧的端部以规定的形成密度设置了狭缝(8、48)的一部分。狭缝(8、48)的形成密度在上述规定的形成密度中最高,并随着主表面(10、44)内的从侧面(94、45)起的最短距离以及在上述层叠方向上接近狭缝(8、48)的一侧的从主表面(10、44)起的距离中的至少某一个变长而降低。

    电磁操作装置
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1737966A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200510097879.7

    申请日:2003-08-27

    Abstract: 一种电磁操作装置(100),驱动以往的电力输送配电系统中使用的开关装置(500),用于在轭(1)上保持动子(2)的永磁铁(6)设置在用于驱动动子(2)的励磁线圈(3)、(4)产生的磁路上,所以伴随着励磁电源的通、断而产生涡电流,损伤电磁操作装置(100)的响应特性,并且对电源造成不良影响。为了解决这一问题,在与励磁线圈(3)、(4)产生的磁路不同的磁路上设置永磁铁(6),来减少涡电流的产生。在第一轭(1)内设置在第一方向往返移动的动子(2)和第一、第二线圈(3)、(4),具有设置在第二方向上的第二轭(5),在第二轭(5)上,与动子(2)相对配置永磁铁(6)。

    磁性微粒子成像装置
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119212614A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202380041017.9

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 交流磁场施加线圈(3)生成使磁性微粒子(1)的磁性变化的交流磁场。卷框(6)保持交流磁场施加线圈(3)。直流磁场施加器以仅使被检查物(2)的任意区域的磁性微粒子(1)的磁性变化的方式,产生具有低的磁场强度的区域。测量线圈(4a、4b)检测磁性微粒子(1)的磁性变化。卷框(6)的中空圆柱的径向的厚度以及卷框(6)的凸缘的厚度中的至少1个是第1表皮厚度以上并且第2表皮厚度以下。第1表皮厚度由交流磁场施加线圈(3)励磁的交流磁场的3次高次谐波的频率和卷框(6)的导电率以及导磁率决定。第2表皮厚度由交流磁场施加线圈(3)励磁的交流磁场的基波的频率和卷框(6)的导电率以及导磁率决定。

    半导体装置
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114730756B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN201980102108.2

    申请日:2019-11-15

    Abstract: 半导体装置(100)具有绝缘部(4)、第1电极(11)、第2电极(12)、第1母线(21)、第2母线(22)和多个半导体芯片(3)。绝缘部(4)将多个半导体芯片(3)包围。第1电极(11)被压接于多个半导体芯片(3)。第2电极(12)与第1电极(11)在第1方向上夹着多个半导体芯片(3)。第2电极(12)被压接于多个半导体芯片(3)。第1母线(21)与第1电极(11)连接。第2母线(22)与第2电极(12)连接。第1母线(21)与第2母线(22)在与第1方向交叉的第2方向上夹着绝缘部(4)。

    超导线圈及超导线圈的制造方法

    公开(公告)号:CN114945998B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202080093374.6

    申请日:2020-01-21

    Abstract: 在用于MRI装置的超导线圈中,为了得到高强度、高均匀度且在时间上稳定的静电磁场,需要在期望的位置配置超导线,得到期望的线圈形状。超导线圈(1)具备:绕线架(2);间隔件(3),其配置于绕线架(2)的外周并具备螺旋状的卷绕槽(5)及设置于卷绕槽(5)之间的连接槽(6);以及线圈组,其在卷绕槽(5)卷绕超导线(4)而构成。由此,能够得到将线圈形状设为期望的形状的超导线圈(1)。

    功率半导体模块以及复合模块

    公开(公告)号:CN112740401A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201880097547.4

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 抑制设置了多个的功率半导体芯片间的电流分布的不均等。功率半导体模块具有:模块主体部(103);多个功率半导体芯片(1001),它们配置于模块主体部的上表面;以及周围构造(104A),其将模块主体部的俯视观察时的周围的一部分包围,是绝缘强磁体,多个功率半导体芯片在俯视观察时沿纵向及横向排列,至少1个功率半导体芯片是被其它功率半导体芯片包围地配置的。

    核磁共振摄像装置用静磁场调整器具及超导磁体

    公开(公告)号:CN111315293A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201780095926.5

    申请日:2017-10-26

    Abstract: MRI用静磁场调整器具(150)包括匀场体托盘(152)、底部间隔物(157)及磁性体匀场体(154)。匀场体托盘(152)安装于MRI,设有匀场体槽(153)。底部间隔物收纳于匀场体槽(153),使得与匀场体槽(153)的底面相接,由非磁性体构成。磁性体匀场体(154)与匀场体槽(153)的底面之间夹有底部间隔物(157),收纳于匀场体槽(153),由磁性体构成。

    压装功率半导体模块用弹簧电极

    公开(公告)号:CN111052361A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201780094212.2

    申请日:2017-08-31

    Abstract: 本发明的目的在于针对压装功率半导体模块,提供在半导体芯片短路时防止导电通路的断线的弹簧电极。本发明的压装功率半导体模块用弹簧电极(101)具有:第1电极(11),其与功率半导体芯片接触;第2电极(12),其与第1电极相对配置;以及压垫,其连接第1电极(11)以及第2电极(12),在第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面的法线方向上具有挠性,第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面是大于或等于五边形的多边形,第1电极(11)的相对面的各边和与这些边对应的第2电极(12)的相对面的各边通过压垫(13)并联连接。

Patent Agency Ranking