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发明公开
半导体光元件的制造方法失效

公开(公告)号：CN101110512A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710137346.6

申请日：2007-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 志贺俊彦 , 佐久间仁

IPC: H01S5/00 , H01S5/223 , H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO2膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO2膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p－GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO2膜(78)，使波导脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。

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