高分子固体电解质
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100551944C

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN03817326.3

    申请日:2003-07-23

    Abstract: 本发明以提供热特性、物理特性和离子传导度优良、接近实用水平的高分子固体电解质,特别是全固体电解质,以及成为用于制造该电解质的基质的共聚物组合物为目的。该高分子固体电解质含有共聚物和电解质盐,该共聚物中具有以式(I),表示的重复单元的嵌段链A、具有以式(II),(式中,R9表示芳基)表示的重复单元的嵌段链B、以及具有以式(III),(式中,R13表示芳基或者杂芳基)表示的重复单元的嵌段链C以B、A、C的顺序排列。

    嵌段共聚物的制造方法及共聚物前体

    公开(公告)号:CN102858826B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201180017897.3

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: C08F293/00 C09D153/00 G02F1/13

    Abstract: 本发明的目的在于提供作为颜料的分散剂等有用的新型共聚物的制造方法。本发明的制造方法如下。通过对含有嵌段链(A)和嵌段链(B)的共聚物前体进行加热,制造含有嵌段链(A)和嵌段链(B1)的嵌段共聚物,所述嵌段链(A)由以下聚合物形成:该聚合物包含选自含有叔氨基的重复单元和含有季铵盐基团的重复单元中的至少1种重复单元,所述嵌段链(B)由以下共聚物形成:该共聚物包含含有聚氧化烯链的重复单元和下述式(I)表示的含有已保护的酸性基团的重复单元,所述嵌段链(B1)由以下共聚物形成:该共聚物包含含有聚氧化烯链的重复单元和下述式(II)表示的含有酸性基团的重复单元。

    新型的多支链高分子
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1886431B

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN200480034676.7

    申请日:2004-11-25

    CPC classification number: C08F12/16 C08F4/06 C08G83/005

    Abstract: 本发明的目的在于提供支链末端容易修饰、支化系数高、而且分散窄的多支链高分子。通过采用具有2个或更多个聚合起始点和聚合性不饱和键的化合物,并采用使用了金属催化剂的活性自由基聚合法,可以制造具有用式(I)表示的重复单元的、分散窄、高支化系数的多支链高分子,所述式(I)为式(I)中,R1~R3各自独立,表示氢原子或烃基,R1和R3可以结合形成环。X表示3价或更高价的连结基团。Y表示在末端上可以具有卤素原子的官能团,a表示2或更大的整数,Y之间可以相同也可以不同。

    星形聚合物及其制法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102844339A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201180019109.4

    申请日:2011-04-18

    Abstract: 本发明提供适于作为抗蚀剂材料等的窄分散的苯乙烯系星形聚合物。本发明的星形聚合物由下式A[C(Y)Xm]n(式中,A表示碳原子数4~15的多价脂肪族烃基,C表示碳原子,X表示苯乙烯系聚合物链,Y表示羟基或氧基,m表示1或2,n表示2~5中的任一整数。其中,Y为羟基时m为2,Y为氧基时m为1)表示。上述星形聚合物可以通过使具有阴离子末端的苯乙烯系聚合物与A(COOR)n(式中,R表示碳原子数1~8的烷基,A和n与上述式中的定义相同)所示的脂肪族羧酸酯反应来制造。

    多分支聚合物及其制造方法

    公开(公告)号:CN101001887B

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN200580027359.7

    申请日:2005-08-11

    Abstract: 本发明提供下述式(I)表示的多分支聚合物及该多分支聚合物的制造方法。式中,A表示具有3个以上分支链的有机基团,Xa表示含有周期表第14~16族的任一原子的连接基团,Y表示结构中可具有活性卤素原子的官能团,Q表示具有由聚合性不饱和键衍生的重复单元的臂部,m1表示从1至上述A所具有的分支链的个数中的任一整数,m2表示上述A所具有的分支链的个数,n1表示0或1以上的整数,Ra表示不参与聚合反应的有机基团。

    星形聚合物及其制造方法
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101906195A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN201010250458.4

    申请日:2007-07-11

    Inventor: 新谷武士

    CPC classification number: C08F295/00 C08F293/005

    Abstract: 本发明提供分子结构受控的窄分散的星形聚合物以及能够简易地制造该星形聚合物的星形聚合物的制造方法。本发明涉及星形聚合物的制造方法,其具有:(A)使具有阴离子末端的聚合物的阴离子末端与核结合,形成臂(I)的工序;和(B)采用活性自由基聚合从核上延伸臂(II)的工序。此外,作为该星形聚合物的例子,可以例示以下星形聚合物,其特征在于:含有式(I-1)或(I-2)所示的结构。(式(I-1)或(I-2)中,B、C1和C2各自独立地表示由聚合物形成的基团,m1和m2各自独立地表示1或2的整数,m1、m2为2时,C1之间和C2之间表示相同或不同的基团)。

Patent Agency Ranking