锂二次电池
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1619875A

    公开(公告)日:2005-05-25

    申请号:CN200410094927.2

    申请日:2004-11-18

    Abstract: 本发明提供一种锂二次电池,所述的锂二次电池具备在负极集电体(3b)上设置负极活性物质薄膜(3a)的负极(3)、含有正极活性物质(1a)的正极(1)、非水电解质;负极活性物质(3a)是通过与锂合金化以吸藏锂的材料,负极(3)的单位面积放电容量相对于正极(1)单位面积放电容量的比为1.5以上而3以下,且负极活性物质(3a)的厚度相对于负极集电体(3b)表面的算术平均粗糙度Ra的比为50以下。根据本发明,在把通过与锂进行合金化而吸藏锂的材料用作负极活性物质的锂二次电池中,改善充放电循环特性。

    薄膜磁头
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1114902C

    公开(公告)日:2003-07-16

    申请号:CN98103859.X

    申请日:1998-02-13

    CPC classification number: C23C16/0272 C23C16/26 G11B5/3106 G11B5/39

    Abstract: 一种薄膜磁头,它包括:可以在一种磁性记录介质上或相对于磁性记录介质移动的磁致电阻元件部分、固定其间的磁致电阻元件部分并用来对磁致电阻元件部分进行磁屏蔽的上、下屏蔽层以及分别介于上屏蔽层和磁致电阻元件部分之间以及下屏蔽层和磁致电阻元件部分之间的上、下间隔绝缘层。上、下间隔绝缘层均包含有含氢的薄膜。与下间隔绝缘层相比,上间隔绝缘层具有较高的氢含量和较小的内应力。

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