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公开(公告)号:CN115440761A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202210624361.8
申请日:2022-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及红外吸收组合物以及包括其的红外吸收膜、光电器件、传感器、图像传感器、和电子设备。红外吸收组合物包括:p型半导体化合物,其包括由化学式1表示的第一结构单元和包括给电子部分的第二结构单元;和由化学式2表示的n型半导体化合物。在化学式1中,Ar1、X、R1a、和R2a与详细描述中所定义的相同。在化学式2中,A1、A2、D1、D2、和D3与详细描述中所定义的相同。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号:CN114105965A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202110986771.2
申请日:2021-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D409/04 , C07D495/04 , C07D409/14 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 本发明涉及化合物、膜、红外传感器、组合传感器和电子器件。化合物由化学式1表示。所述化合物可包括在膜、红外传感器、组合传感器、和/或电子器件中。在化学式1中,X、Y1、Y2、Z1、Z2、Q、R1、和R2与详细描述中所描述的相同。[化学式1]
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公开(公告)号:CN113690371A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202110546665.2
申请日:2021-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了红外吸收组合物、以及包括其的光电器件、有机传感器和电子设备。所述红外吸收组合物包括由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物。所述n型半导体化合物包括由化学式2A表示的化合物、由化学式2B表示的化合物、由化学式2C表示的化合物、富勒烯衍生物或其组合。所述p型半导体化合物和所述n型半导体化合物提供体异质结(BHJ)结构。
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公开(公告)号:CN113571595A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110468765.8
申请日:2021-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , G01J3/42 , G01N21/27 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了传感器及包括该传感器的电子装置,该传感器包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的光吸收层。光吸收层可以具有在第一红外波长区域中有第一吸收峰的第一吸收光谱以及在第二红外波长区域中有第二吸收峰的第二吸收光谱,第二红外波长区域是具有比第一红外波长区域中的波长长的波长的区域。第二吸收光谱不与第一吸收光谱至少部分地重叠。第二吸收光谱可以具有比第一吸收光谱低的吸收强度。在传感器中表现出在第二红外波长区域中放大的外部量子效率(EQE)光谱。
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