公开(公告)号：CN1455261A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN03138453.6

申请日：2003-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈东河 ,  宋寅相 ,  金永一 ,  朴仙姬 ,  弘荣泽 ,  闵桐基

IPC: G01R21/01

CPC classification number: G01R21/00 ,  G01R1/06772

Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。