公开(公告)号：CN118194804A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202310908116.4

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈智昌 ,  权五勋 ,  权赫准 ,  元福渊

IPC: G06F30/392

Abstract: 提供了校正设计布局方法、计算装置及制造半导体器件的方法。所述计算装置从原始设计布局中分离出包括多个目标图案的第一目标层；基于所述第一目标层中的所述多个目标图案的位置处的错位值将所述多个目标图案移位，以生成第二目标层；以及将所述第二目标层与从中分离出所述第一目标层的所述原始设计布局组合，以生成校正后的设计布局。

公开(公告)号：CN111698181B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202010089138.9

申请日：2020-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫准 ,  莎丽斯·乔杜哈里 ,  宋基逢

IPC: H04L25/02 ,  G06N3/09 ,  G06F18/2431

Abstract: 本文中公开一种操作无线通信系统的方法以及无线通信系统。根据一个实施例，一种方法包含：产生特征和检测器标签的标记数据集；使用所产生的标记数据集来训练多层感知器(MLP)网络；以及基于所训练的多层感知器网络的输出从多个检测器类别中选择检测器类别。

公开(公告)号：CN113497647B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202110361496.5

申请日：2021-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阿卜杜拉曼·巴克尼娜 ,  权赫准

IPC: G06F30/27 ,  H04B7/06

Abstract: 提供了一种由通信网络中的电子装置执行的方法和电子装置。所述方法包括：针对信号估计通信网络中的信道；提取与估计的所述信道相关的至少一个信道特征；确定RI和CQI对；向MLP网络输入提取的所述至少一个信道特征以及所述RI和CQI对；针对所述RI和CQI对中的每一个RI和CQI对，接收所述MLP网络的输出，其中，所述MLP网络的所述输出指示针对所述电子装置的吞吐量或频谱效率；以及基于接收到的所述输出来选择所述RI和CQI对中的RI和CQI对。

公开(公告)号：CN111049774B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910910139.2

申请日：2019-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃特扎迪·法罗赫 ,  权赫准 ,  杨周烈

IPC: H04L27/34 ,  H04L27/38

Abstract: 提供一种用于接收正交调幅符号的系统和方法。在一些实施例中，所述符号具有多个位并且与正交调幅点的星座中的点相关联，所述星座的每个点与二进制字相关联。所述方法包括：接收载有调制的第一模拟信号；执行初始估计，以为承载调制的第一模拟信号的一部分生成第一初始调制估计值；基于所述第一初始调制估计值，识别初始候选查找表的行，所述行与星座的区域相对应；以及从所述初始候选查找表的所述行读取所述星座的第一多个初始候选点。

公开(公告)号：CN111211821B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201911029196.6

申请日：2019-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 程红兵 ,  权赫准 ,  宋基逢 ,  詹祺

IPC: H04B7/0426 ,  H04B7/06 ,  H04B7/08

Abstract: 本文公开了一种用于单连接天线阵列的模拟波束成形的系统和方法。该方法包括：基于每个天线估计模拟信道；基于所估计的模拟信道显式计算模拟波束成形矩阵；以及基于所计算的模拟波束成形矩阵执行模拟波束成形。

公开(公告)号：CN108234366B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201710740173.0

申请日：2017-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 埃米尔·戴兹夫里晏 ,  威戈尼斯·塞德拉曼 ,  权赫准 ,  哈米德·马勒基 ,  李林波 ,  宋基奉

IPC: H04L25/03

Abstract: 一种用于频域载波间干扰补偿的设备和方法。提供了一种在接收器接收信号的方法和设备。接收器的处理器基于近似载波间干扰(ICI)矩阵的实矩阵部分和从接收的信号估计的频率偏移(FO)来计算频率偏移(FO)载波间干扰(ICI)补偿。所述处理器在频域将FO ICI补偿应用于接收的信号以产生经过ICI补偿的输出。所述处理器将相位旋转应用于经过ICI补偿的输出。

公开(公告)号：CN108282191B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201711307727.4

申请日：2017-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李林波 ,  权赫准

IPC: H04B5/02 ,  H04W4/80 ,  H04L27/12 ,  H04L1/00

Abstract: 提供了一种为远程低功耗蓝牙提供加权模式解映射器的系统和方法。所述方法包括：从收发器接收信号，对编码在信号内的比特模式进行解映射，基于解映射后的比特模式来检测前导码，并且使用前导码将收发器同步到接收器，其中，对比特模式进行解映射的步骤基于加权系数。

公开(公告)号：CN113497647A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110361496.5

申请日：2021-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阿卜杜拉曼·巴克尼娜 ,  权赫准

IPC: H04B7/06 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了一种由通信网络中的电子装置执行的方法和电子装置。所述方法包括：针对信号估计通信网络中的信道；提取与估计的所述信道相关的至少一个信道特征；确定RI和CQI对；向MLP网络输入提取的所述至少一个信道特征以及所述RI和CQI对；针对所述RI和CQI对中的每一个RI和CQI对，接收所述MLP网络的输出，其中，所述MLP网络的所述输出指示针对所述电子装置的吞吐量或频谱效率；以及基于接收到的所述输出来选择所述RI和CQI对中的RI和CQI对。

公开(公告)号：CN111081296B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201911156606.3

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳旭 ,  权赫准 ,  韩相根 ,  元福渊

IPC: G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C7/18 ,  G11C7/12

Abstract: 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。

公开(公告)号：CN111292783A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010048328.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳旭 ,  权赫准 ,  韩相根 ,  元福渊

IPC: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。