公开(公告)号：CN100358145C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN03148430.1

申请日：2003-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳俊

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在模制氧化层图形侧壁上重复地形成导电和绝缘间隔层，可以制造用于半导体存储器件的存储节点，由此得到可以增加存储节点电极表面积的精细线图形。也提供支撑物，以支撑至少一个独立的存储节点电极，由此可以减少或防止存储节点电极倒塌或弯向相邻的存储节点电极。

公开(公告)号：CN1472813A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03148430.1

申请日：2003-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳俊

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L28/90 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在模制氧化层图形侧壁上重复地形成导电和绝缘间隔层，可以制造用于半导体存储器件的存储节点，由此得到可以增加存储节点电极表面积的精细线图形。也提供支撑物，以支撑至少一个独立的存储节点电极，由此可以减少或防止存储节点电极倒塌或弯向相邻的存储节点电极。