公开(公告)号：CN109560191A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811060554.5

申请日：2018-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  张荣万

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/161

Abstract: 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。