公开(公告)号：CN109980012A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811462559.0

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金真范 ,  金文铉 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  李宽钦 ,  卢昶佑 ,  玛丽亚·托莱达诺卢克 ,  朴洪培 ,  李始炯 ,  黄成万

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。