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公开(公告)号：CN206194745U
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201621054111.1
申请日：2016-09-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 川尻智司
Abstract: 提供了一种半导体装置，其具有：漂移区；基区，其配置在漂移区上；发射区，其配置在基区上；内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从发射区的上表面延伸并贯通发射区和基区；栅电极，其与基区的侧面对置地配置在槽的侧面的内壁绝缘膜上；底面电极，其与栅电极绝缘分离地配置在槽的底面的内壁绝缘膜上；以及层间绝缘膜，其设于栅电极和底面电极之间，栅电极在槽的角部侧的端部延伸到比漂移区和基区的界面与槽的侧面相交的位置低的位置，栅电极在底面电极侧的端部比底面电极在栅电极侧的上表面的位置高，该半导体装置具有如下的栅电极的下表面，该下表面连接栅电极在槽的角部侧的端部和栅电极在底面电极侧的端部。
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