公开(公告)号：CN119095918A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036371.2

申请日：2023-04-21

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 加茂博道

IPC: C08L101/00 ,  B32B5/28 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  C01B33/12 ,  C08J5/04 ,  C08K3/36 ,  C08L25/02 ,  C08L63/00 ,  C08L71/12 ,  H05K1/03

Abstract: 一种液态组合物，其包含热固性树脂和二氧化硅颗粒，前述二氧化硅颗粒如下：(1)具有特定的水蒸气吸附量和水分保持变动量，或(2)具有特定的带电量和d50，或(3)具有特定的粉体摩擦角、d50和聚集状态；使用了前述液态组合物的预浸料、带树脂的金属基材、和布线板；以及前述液态组合物中使用的二氧化硅颗粒。

公开(公告)号：CN118062853A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410177421.5

申请日：2021-02-22

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC: C01B33/193 ,  C01B33/18

Abstract: 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒及其制造方法。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN111566047A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880083744.0

申请日：2018-12-25

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 神谷广幸 ,  金贤枝 ,  松原俊哉

IPC: C01B33/18 ,  C01B33/187

Abstract: 课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。