公开(公告)号：CN117238887A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310200523.X

申请日：2023-03-03

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 松田庆太

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开提供能提高耐湿性的半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体基板；半导体元件，形成于半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖半导体元件；第二绝缘膜，形成于第一绝缘膜之上；以及第三绝缘膜，形成于第二绝缘膜之上，第一绝缘膜和第三绝缘膜与第二绝缘膜相比不易使水分透过，第二绝缘膜的介电常数比第一绝缘膜和第三绝缘膜的介电常数低，第一绝缘膜具有与半导体基板的上表面的第一区域相接的第一部分，第三绝缘膜具有与第一部分的上表面和侧面以及半导体基板的上表面的比第一区域远离半导体元件的第二区域相接的第二部分。

公开(公告)号：CN116400462A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211697895.X

申请日：2022-12-28

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 日野正登

IPC: G02B6/42

Abstract: 本公开提供即使在具有进行了长尺寸化的外形的情况下也能适当地进行卡合解除的光收发器。一个实施方式的光收发器是沿着第一方向插入至装置并与装置卡合的光收发器。光收发器具备：壳体，具有在与装置卡合的状态下露出于装置的外部的露出部和容纳于装置的内部的主体部；转动部，以能在第一方向上进行转动动作的方式装配于露出部；以及移动部，以能沿着第一方向移动的方式装配于露出部。露出部具有成为转动动作的中心的中心轴。移动部在与转动部卡合的外端具有可动轴。转动部具有贯通孔，该贯通孔包括：第一圆形部，与中心轴卡合；第二圆形部，与可动轴卡合；以及直线部，将第一圆形部与第二圆形部彼此连接。

公开(公告)号：CN108123690B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201711237150.4

申请日：2017-11-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 安德雷·格列别尼科夫 ,  王业宏 ,  渡边直树

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/02

Abstract: 将具有多个峰值放大器的多赫蒂放大器稳定化。在载频放大器(100)及三台峰值放大器(101～103)的输出和输出耦合器(30)之间插入偏移单元(20)。偏移单元包含将各放大器的输出阻抗变换为短路的、阻抗与负载阻抗相等的偏移传送线路。在所有峰值放大器断开时，载频放大器的输出成为12.5Ω，经由25Ω的传送线路将RF信号输出。在仅第1峰值放大器接通时，载频放大器、第1峰值放大器的输出均变换为25Ω，匹配于50Ω的终端。即使第3峰值放大器接通，输出也变换为50Ω。

公开(公告)号：CN109633825B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN201811132238.4

申请日：2018-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 三井主成 ,  原弘 ,  中岛史博

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/32

Abstract: 本发明披露了一种波分解复用系统和光接收器模块，该系统接收波分复用信号，并生成与光信号对应的电信号。光接收器模块包括透镜、透镜单元以及光学解复用器(O‑DeMux)。透镜将波分复用信号转换成准准直光束。透镜单元使准准直光束的直径缩小。O‑DeMux通过波长选择滤波器(WSF)对来自透镜单元的缩小的准准直光束进行解复用，每个波长选择滤波器到透镜单元具有彼此不同的光程。

公开(公告)号：CN115706078A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210767134.0

申请日：2022-06-30

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 菱田武司

IPC: H01L23/498

Abstract: 本公开涉及半导体装置以及晶片。本公开提供一种能小型化的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；金属层，设于所述基板下；半导体元件，具备多个第一电极、多个第二电极以及第一焊盘，其中，所述多个第一电极设于所述基板上，经由贯通所述基板的贯通孔(20)分别与所述金属层连接，在所述基板上相互电隔离，所述多个第二电极设于所述基板上，与所述多个第一电极交替地设置，所述第一焊盘设于所述基板上，连接所述多个第二电极；以及保护膜，以覆盖所述多个第一电极和所述多个第二电极的方式设于所述基板上，具有使所述第一焊盘的至少一部分露出的第一开口，不具有与所述多个第一电极重叠的开口。

公开(公告)号：CN115698801A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180037208.9

申请日：2021-06-11

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 吉村悟士 ,  原弘 ,  津村英志 ,  川村正信

IPC: G02B6/42 ,  H01L31/02 ,  H01S5/0239 ,  H01S5/0683

Abstract: 一个实施方式的光发送器具备：壳体，具有出射端；发光元件，搭载于壳体的第一搭载部；以及受光元件，搭载于壳体的第二搭载部，对来自发光元件的输出光进行监测。在第二搭载部设有托架、位于托架的下侧的出射端侧的第一树脂以及位于托架的下侧的发光元件侧的第二树脂。第一树脂的热膨胀率比第二树脂的热膨胀率小。

公开(公告)号：CN115529083A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210708555.6

申请日：2022-06-21

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 小杉优地

IPC: H04B10/40 ,  H04B10/079 ,  H04B10/54 ,  H04B10/564

Abstract: 本公开涉及通信系统及其控制方法以及光收发器及其控制方法。第一光收发器具备：发送信号处理部，生成包括固定位组合格式的多值脉冲幅度调制信号；第一光发送部，将多值脉冲幅度调制信号作为光发送信号进行发送；第一光接收部，接收来自第二光收发器的光调整信号；以及第一控制部。第二光收发器具备：第二光接收部，接收光发送信号；接收信号处理部，测定光发送信号中所包括的固定位组合格式的位差错率；第二光发送部，发送包括位差错率的信息的光调整信号；以及第二控制部。第一控制部基于光调整信号中所包括的位差错率控制发送信号处理部来调整光发送信号的各电平的光功率。

公开(公告)号：CN115398611A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180027917.9

申请日：2021-09-07

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 斋藤鲇彦

IPC: H01L21/60

Abstract: 一个实施方式的半导体装置具备：半导体芯片，具有设于基板上的晶体管和漏极焊盘；电容器，具有夹着电介质的上部电极和下部电极；焊盘；以及空焊盘，设于半导体芯片的基板上。该半导体装置还具备：第一引线，将焊盘与半导体芯片的漏极焊盘相互连接；第二引线，将空焊盘与电容器的上部电极相互连接；以及第三引线，将焊盘与空焊盘相互连接。

公开(公告)号：CN115117030A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210245423.4

申请日：2022-03-14

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 五十岚武司

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明提供能抑制电容器的击穿的电容器。电容器具备：MIM电容器(20)，具备下部电极(14)、设于所述下部电极上的电介质膜(16)以及设于所述电介质膜上的上部电极(18)；绝缘膜(24)，以覆盖所述MIM电容器的方式设于所述上部电极上；以及附加电极(22)，在所述绝缘膜内与所述上部电极的外周(50)分离地设于上方，所述附加电极的外周(52)位于比所述上部电极的外周靠外侧处，所述附加电极与所述上部电极连接。

公开(公告)号：CN115084259A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210222690.X

申请日：2022-03-09

Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社

Inventor： 吉田智洋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供能抑制栅电极的特性的变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体层；绝缘膜，设于所述半导体层之上，形成有开口；栅电极，经由所述开口连接于所述半导体层；以及保护膜，覆盖所述栅电极，所述绝缘膜具有：所述半导体层侧的第一面；以及与所述第一面相反侧的第二面，所述栅电极具有：第三面，离开所述第二面并与所述第二面对置；以及第四面，将所述第二面与所述第三面相连，所述栅电极包含构成所述第三面和所述第四面的Ni膜，在所述第三面和所述第四面具有覆盖所述Ni膜的Ni氧化膜，所述保护膜从所述Ni氧化膜之上覆盖所述第三面和所述第四面。