一种晶体空位缺陷类型识别方法及装置

    公开(公告)号:CN118329947A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410213210.2

    申请日:2024-02-27

    IPC分类号: G01N23/2251 G16C60/00

    摘要: 本发明涉及晶体微结构分析技术领域,公开了一种晶体空位缺陷类型识别方法及装置。本发明可以获取与晶体样品的N个预期空位缺陷类型一一对应的N个正电子湮灭动量展宽谱的理论比例谱,确定N个理论比例谱在预设的峰位偏移量区间中的多个公共交点;根据公共交点在峰位偏移量区间中确定M个预期空位缺陷类型对应的峰位特征区间;M小于等于N;基于M个预期空位缺陷类型对应的峰位特征区间和晶体样品对应的第一实验比例谱,确定M个预期空位缺陷类型对应的分辨参数;根据M个预期空位缺陷类型对应的分辨参数,确定晶体样品的真实空位缺陷类型。本发明可以通过对晶体样品的理论比例谱和实验比例谱进行数据处理,有效识别晶体样品中的空位缺陷类型。

    大尺寸磁化等离子体中脉冲磁场的测量装置

    公开(公告)号:CN118275946A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410357693.3

    申请日:2024-03-27

    IPC分类号: G01R33/02 H05H7/14 G01R33/00

    摘要: 本发明涉及一种大尺寸磁化等离子体中脉冲磁场的测量装置,包括:接线盒;电气绝缘管,为一端开口,另一端封闭的管状结构;机械支撑架,为细长薄片结构,所述机械支撑架上设置有探头线圈,带有探头线圈的所述机械支撑架伸入所述电气绝缘管内部;所述探头线圈的引线接入至所述接线盒;真空封装接口组件,一端与所述接线盒固定连接,另一端与所述电气绝缘管的开口端配合连接。本发明不仅能使其在高温、高密度的磁化等离子体内部稳定工作,而且可以满足瞬态演化的等离子体中脉冲磁场测量所需的高时间分辨和高空间分辨要求。

    一种重离子高压平台水质提升装置

    公开(公告)号:CN118270958A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410691947.5

    申请日:2024-05-31

    摘要: 本发明涉及一种重离子高压平台水质提升装置,包括:水箱;水质提升系统,包括依次串联连接的初级过滤器、二级过滤器和三级过滤器,初级过滤器与水箱的旁滤出水口连接,三级过滤器与水箱的旁滤进水口连接;换热器,换热器的热侧进水口通过循环水泵与水箱的循环水出水口连接,换热器的热侧出水口与重离子加速器循环水系统的进水口连接,重离子加速器循环水系统的冷出水口与换热器的冷侧进水口连接,换热器的热侧出水口与重离子高压平台冷却系统的冷进水口连接,重离子高压平台冷却系统的热出水口与水箱的循环水回水口连接;自动化恒压控制系统,自动化恒压控制系统与循环水泵电连接。其将冷却水的水电阻由1MΩ·cm提升至5MΩ·cm。

    一种线圈成型装置
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111540601B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202010418749.3

    申请日:2020-05-18

    IPC分类号: H01F41/071

    摘要: 本发明涉及一种线圈成型装置,包括龙门支架,用以支撑线圈成型装置各部件在竖直空间内的位置及相互之间的装配;平面旋转部,固定在与龙门平面相正交的水平平面内,平面旋转部采用中空圆环型旋转体,中空圆环型旋转体中心为中空通道,用于待成型线圈的基体通过;垂直移动部,用于使得基体在竖直平面内的任意位置或姿势的变动;末端执行部,固定设置在平面旋转部上,能够沿中空通道周向运动,用于将电磁线成型于基体表面;控制部,用于控制垂直移动部和末端执行部运动,通过控制末端执行部始终垂直接触于待成型线圈的基体表面,并通过控制垂直移动部实现基体在竖直平面内的任意位置或姿势的变动,以完成电磁线在基体表面的成型工作。

    一种基于FPGA的核信号梯形成形方法及装置

    公开(公告)号:CN118192756A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410305318.4

    申请日:2024-03-18

    IPC分类号: G06F1/025 G06F15/78

    摘要: 本发明涉及一种基于FPGA的核信号梯形成形方法,包括:获取ADC采集的离散核脉冲信号,并提取所述离散核脉冲信号的基线值和幅度值;对所述离散核脉冲信号作快速傅里叶变换得到F(w),并求解F(0)值;根据所述F(0)值和所述幅度值,求解梯形成形参数M;根据设定的梯形成形参数K和L,利用自适应梯形成形算法将所述离散核脉冲信号变换为梯形脉冲信号。本发明技术方案,能够计算出具有不同衰减常数的核脉冲信号对应的梯形成形所需参数,并自动调整参数使得成形后的梯形脉冲平顶更为平坦。

    用于同位素核靶高效制备的重离子溅射装置

    公开(公告)号:CN118166316A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410198754.6

    申请日:2024-02-22

    IPC分类号: C23C14/34 H05H6/00 G21G1/06

    摘要: 本发明涉及核物理技术领域,提供一种用于同位素核靶高效制备的重离子溅射装置,包括:真空腔;2.45GHz微波驱动离子源,用于产生单一电荷态的重离子强流束,2.45GHz微波驱动离子源与真空腔连通;聚焦电极系统,用于聚焦重离子强流束,形成高密度束流,高密度束流的束斑尺寸小于2mm;三维调节样品衬底,设置于真空腔内;旋转靶,用于承载三维调节样品衬底,且旋转靶旋转设置于真空腔内。本发明由于2.45GHz电子回旋共振离子源属于无极放电,能够产生高流强的离子束可在较大范围气压下长期稳定工作、重复性能好、离子种类广,没有寿命限制,也不会带来束流的污染电荷态单一、束流强度大、寿命长、运行稳定、离子溅射面积大且制靶效率高。