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公开(公告)号:CN1177865A
公开(公告)日:1998-04-01
申请号:CN97103357.9
申请日:1997-03-20
Applicant: 三菱电机半导体软件株式会社 , 三菱电机株式会社
Inventor: 泷川浩
IPC: H03L7/08
CPC classification number: H03L7/0898
Abstract: 在现有技术中,由于不能以简单地改变VCO控制电压VCP,所以就遇到不能使PLL的锁定速度和稳定度两者同时提高的问题。本发明通过输入误差信号*UP,使电容11的预充电电荷通过NMOS晶体管N11放电。从而使电容11的一端电压降低,转而使连接在电容11上的电荷泵控制晶体管P12的导通电阻作非线性下降。通过这样的做法,使VCO控制电压VCP在误差信号*UP脉冲宽度变窄的时候降低,在变宽的时候升高。