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公开(公告)号：CN1382627A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02110970.2
申请日：2002-03-05
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明提供的纳米硅管的制备方法是采用化学气相沉积法,它包括以下步骤:1)制备具有数个纳米尺寸孔径的氧化铝模板;2)用磁控溅射法对氧化铝模板的一个平面镀膜,镀膜材料为三、五族元素或过渡金属元素或金,镀膜厚度为1～10000纳米;3)把镀膜过的氧化铝模板放在石英舟里,再把石英舟放入一个真空和气氛两用石英管式炉内,抽真空,使管式炉真空度为1～100Pa,加热炉管,使氧化铝模板温度为100～1000℃；4)将硅烷气体、氢气和氩气或氮气的混合气体送入管式炉;5)经1～50小时,从硅烷分解出来的硅沉积到氧化铝模板的纳米尺寸孔内形成纳米硅管。本发明工艺简单,为制备纳米硅管探索出一条新途径。
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公开(公告)号：CN1320813A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00107135.1
申请日：2000-04-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N3/40
Abstract: 本发明公开的硅材料机械强度的测量方法是以测量硅材料的位错滑移长度来确定其机械强度的,依次包括如下步骤:首先将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光,除去表面损伤层;然后用硬度计压头在硅片表面制造压痕,压痕四周引入位错;再在保护气中对硅片进行热处理,使位错发生滑移;接着冷却硅片,用化学腐蚀液腐蚀,显示位错的滑移;最后测量位错滑移长度。应用该方法简便易行,便于从微观角度确定杂质对硅材料机械强度的影响。
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公开(公告)号：CN120026395A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510160032.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及碳化硅单晶技术领域，尤其涉及一种碳化硅生长装置。本申请实施例提供一种碳化硅生长装置，包括基座、升降装置和托盘，升降装置包括固定部和升降部，升降部设置于固定部且相对于固定部在竖直方向上可移动；托盘设置于升降部远离固定部的一端，托盘适于放置石墨坩埚；其中，沿第一方向，固定部可移动地设置于基座且具有第一位置和第二位置，在托盘下降到预设位置且固定部处于第一位置时，托盘上旧的石墨坩埚适于被取走，在托盘下降到预设位置且固定部处于第二位置时，托盘适于被放置新的石墨坩埚，第一方向和竖直方向垂直。其能够提升碳化硅晶体的厚度及质量，并且能够降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119947278A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411864429.5
申请日：2024-12-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器及其制作方法，所述辐射探测器包括：半导体衬底，所述半导体衬底背面为p型掺杂；位于所述半导体衬底正面且与所述半导体衬底同心设置的n型掺杂区，环绕所述n型掺杂区还同心设置有多个环形凹槽，所述多个环形凹槽的深度由内向外依次增加，且所述凹槽区域为p型掺杂，所述半导体衬底背面和凹槽区域构成p型掺杂区；覆盖在所述p型掺杂区表面的阴极；覆盖在所述n型掺杂区表面的阳极。所述凹槽的设置能够在不增加n型掺杂区的面积，即不增加探测器电容的基础上增加辐射吸收面积，兼顾了计数率和信噪比，提高了对各个角度入射辐射的吸收效率和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN115592829B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202211329730.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及籽晶技术领域，特别涉及一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体。拼接结构从三个选定好的切割方向对籽晶进行切割，从而保持拼接后的碳化硅晶体各部分处于同一晶向，并且在切割处进行特定的磨角处理，不仅实现了大尺寸籽晶成功拼接，同时也消除裂缝在碳化硅单晶生长中的继承效应。本发明中的拼接结构适用于6英寸衬底到8英寸衬底的扩径，8英寸衬底到12英寸衬底等衬底尺寸扩径。利用该拼接结构扩径生长后的碳化硅晶锭处于同一晶向，减少晶界的产生，且经过磨角处理后，减小拼接处裂缝的影响，保证了生长出晶锭的上部分晶体的质量；并且扩径程度大，满足各种尺寸碳化硅的扩径需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119875586A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411835946.X
申请日：2024-12-13
Applicant: 浙江大学 , 上虞半导体材料研究中心
Abstract: 本发明公开了一种阳离子调控SiO2磨料异形度和形貌的方法，该方法以正硅酸四乙酯为硅源，氨水为催化剂，非金属阳离子作为异形度和形貌调控剂，在醇水体系中，通过调控二氧化硅形核生长环境的各向异性，实现异形度和形貌可调的二氧化硅制备。本发明方法相比金属盐制备异形二氧化硅法，所采用的非金属阳离子在二氧化硅形核生长过程的碱性环境中，有着更大的浓度调节范围，即能够更大程度地根据抛光需求调控二氧化硅的异形度与形貌。此外，电子级硅片对金属离子的浓度有着极为严格的限制，而本发明在制备异形二氧化硅的过程中未引入任何金属离子，相比金属阳离子制备异形二氧化硅的方法更具优势。
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公开(公告)号：CN119734186A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510261305.6
申请日：2025-03-06
Applicant: 浙江大学 , 上虞半导体材料研究中心
Abstract: 本发明公开了一种基于光热耦合催化的半导体材料抛光方法及应用，属于化学机械抛光方法领域，以黑色二氧化钛作为光热催化剂，与分散剂、电子俘获剂、磨料混合得到光热耦合抛光液，利用可见光源照射光热耦合抛光液，调整抛光参数进行抛光。本发明通过光热耦合抛光技术，以黑色二氧化钛作为光热催化剂，将传统光催化抛光技术的紫外光源拓展到光热耦合催化抛光的可见光源和近红外光源，基于抛光液配方和抛光工艺参数的精准调控，材料去除率可达142.9 nm/min，平均表面粗糙度可达0.420 nm，实现高效、高精度镜面抛光，并且减少了能量在传输和转换中的损耗，保证抛光质量的稳定性和一致性，可灵活适应各种非氧化物型半导体材料。
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公开(公告)号：CN119710934A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510223085.8
申请日：2025-02-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种甲胺基钙钛矿单晶、制备方法及其X射线探测器。主要是由MAX、BX2、添加剂构成的前驱体生长制成，MAX、BX2、添加剂的摩尔配比为1:1:0.05‑0.1；方法是准备钙钛矿单晶原料，将步骤S1中准备好的MAX、BX2、添加剂按摩尔配比1:1:0.05‑0.1加入溶剂中，室温下搅拌，获得可用于生长MABX3钙钛矿单晶的前驱体溶液，最后利用前驱体溶液进行生长，获得甲胺基钙钛矿单晶。本发明可有效抑制前驱体溶液中甲胺阳离子的去质子化，可以制备生长获得高质量、低缺陷密度、大尺寸甲胺基钙钛矿单晶，用于制备具备高灵敏度的X射线探测器。
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公开(公告)号：CN119663416A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411907049.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅生长装置，包括石墨坩埚、第一加热组件和第二加热组件；所述石墨坩埚用于容纳硅溶液；所述第一加热组件设置在所述石墨坩埚的底壁处，所述第一加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚径向上的温度梯度；所述第二加热组件设置在所述石墨坩埚的侧壁处，所述第二加热组件用于减少所述硅溶液在所述石墨坩埚轴向上的温度梯度。第一加热组件和第二加热组件的实际效果可以互补，通过第一加热组件和第二加热组件的相互配合，可以使硅溶液在石墨坩埚轴向和径向上的温度均匀性同时获得提升，有效提升了籽晶杆下端温度的可控性和可预测性，籽晶杆下端温度能够很好地维持在碳化硅的理想生长温度范围，以此提升碳化硅的生长质量。
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公开(公告)号：CN119549282A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411650615.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B03D1/00 , B03D1/012 , B03D101/02 , B03D103/04
Abstract: 本发明公开了一种中性条件下分离铝硅酸盐矿物、提纯石英砂的方法及其应用。中性条件下分离铝硅酸盐矿物、提纯石英砂的方法采用一次或多次反浮选操作，反浮选操作包括：向石英原砂矿浆或上一次反浮选操作获得的低铝含量的精品石英砂矿浆中加入石英抑制剂，混匀；然后加入铝硅酸盐矿物捕收剂，混匀；接着在鼓气搅拌条件下加入起泡剂，进行石英反浮选，期间保持搅拌并刮泡；反浮选完毕后洗涤剩余矿浆，得到低铝含量的精品石英砂。本发明的反浮选工艺在中性条件下进行，避免了传统的强酸、强碱使用，进而减少提纯工艺对生产设备、生态环境及操作人员的危害。
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