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公开(公告)号：CN1821059A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610049680.1
申请日：2006-03-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备非层状硫化物纳米管的方法，步骤如下：1)将氧化物纳米线超声分散在水溶液中，在溶液中加入巯基乙酸，混合均匀后再加入硫源，把上述配好的水溶液放入高压釜中，在100～200℃温度下处理1～200小时，然后将处理好的溶液离心、干燥，得氧化物/硫化物的同轴电缆；2)将氧化物/硫化物的同轴电缆与酸或碱混合，充分反应后进行离心、干燥，得硫化物的纳米管。本发明利用巯基乙酸辅助水热法及后续的酸或碱处理可以解决非层状硫化物纳米管较难制备的问题。本发明方法工艺简单、成本低、适于工业化大量生产具有普遍性，可以制备多种非层状硫化物的纳米管。
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公开(公告)号：CN1269186C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410084529.2
申请日：2004-11-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的具有内吸杂功能的掺碳硅片，其氧浓度为5～15×1017cm-3，碳浓度为5～30×1016cm-3。制备步骤如下：1)采用直拉法生长晶体，通过控制晶体生长过程中工艺参数得到氧浓度为5～15×1017cm-3，碳浓度为5～30×1016cm-3的掺碳硅片；2)将氧浓度为5～15×1017cm-3，碳浓度为5～30×1016cm-3的掺碳硅片于热处理炉中，在氩气或氮气的保护下，先在1100～1250℃保温1～3小时，然后在600～900℃保温4～50小时，再在1000～1200℃保温4～30小时。发明的直拉硅片具有较高的内吸杂能力，对有害金属具有很好的吸杂效果，该硅片应用于集成电路，可以提高集成电路的成品率。
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公开(公告)号：CN1619783A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410089089.X
申请日：2004-11-26
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/473
Abstract: 本发明涉及氧气氛下等离子氧化制备二氧化硅薄膜的方法。其步骤如下：先清洗硅片衬底去除表面自然氧化层，然后将硅片放入等离子体增强化学气相沉积装置的反应腔，反应腔抽真空至0.1～10Pa，将硅片加热至200℃～500℃，按流量100sccm～300sccm充入氧气，将等离子体增强化学气相沉积装置的射频电源功率调节至50W～100W，使射频电源电极间的气体发生辉光放电，进行等离子体氧化，氧化时间0.5h～2h，得二氧化硅薄膜。本发明方法仅用一种氧气气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。制得的二氧化硅薄膜厚度低于10nm，可用于晶体硅太阳能电池的双层减反射层或甚大规模集成电路的绝缘层。
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公开(公告)号：CN1613774A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410084351.1
申请日：2004-11-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及制备氧化锌纳米材料的方法，步骤如下：(1)将0.5～100克醋酸锌放入高压釜中，加入100～1000毫升饱和的十六烷基三甲基溴化氨水溶液；(2)加入2摩尔/升的氢氧化钠溶液10～1000毫升；(3)把高压釜放置在100～120℃的温度下处理1～200小时；(4)把经过上述处理的溶液离心、干燥，得到长度为500纳米到10微米，粗细为60到200纳米的花状氧化锌纳米材料。本发明利用十六烷基三甲基溴化氨辅助水热法在低温下制备氧化锌纳米材料，工艺简单，制备成本低，利于氧化锌纳米材料得到大规模应用。
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公开(公告)号：CN1581515A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410018588.X
申请日：2004-05-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开的制备硫化镉－二氧化硅核壳结构三维光子晶体的方法，包括采用化学水浴沉积法制备单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构和再以单分散硫化镉－二氧化硅核壳结构自组装制备三维光子晶体。由于硫化镉是一种高折射率材料，在可见光区吸收较少，在二氧化硅球表面包覆硫化镉，可以提高折射率反差，将该复合结构自组装制备三维光子晶体，可以增强光子晶体的带隙特性，还可以通过改变核壳结构的核的半径和壳的厚度来调节光子带隙所处的位置。采用本发明方法可以得到具有强衰减宽带隙的光子禁带的三维光子晶体，其光子带隙性能显著增强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1560928A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016497.2
申请日：2004-02-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散的球径相同的二氧化硅小球溶液中，用提拉沉积法在衬底上沉积得蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜热处理后，再次浸入到含有与前次球径不同的二氧化硅小球溶液中，沉积另一层蛋白石薄膜并进行热处理，再放入化学汽相沉积装置或化学溶液中，在二氧化硅小球空隙中填入具有高介电率的IV族或IIVI族复合半导体材料。或者在得到第一层蛋白石薄膜后就填充具有高介电率的材料，然后再在其上用提拉法沉积第二层蛋白石结构的二氧化硅薄膜层，之后再次进行填充。最后，将薄膜放入稀释的氢氟酸中溶解掉二氧化硅球。本发明工艺简单，而且带隙可调，制得的光子晶体异质结薄膜，可在光电子器件和全光集成中得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1165055C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02111603.2
申请日：2002-04-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能双相稀土永磁材料及其制备方法。本发明的稀土永磁材料中，含6.2～12.0at%的稀土元素，0.5～4.5at%的氮元素，2.5～6.0at%的以B为主的类金属元素，其余为以Fe为主的过渡族金属。首先，采用真空熔炼法制备合金；然后，采用快淬法或机械合金化法，结合适当的热处理工艺，制备合金粉末；最后，采用粘结、冷压、热压法或温变形制备合金磁体。本发明所得磁粉及磁体具有较好的综合永磁性能，更高的工作温度或较好的抗腐蚀能力，所需的稀土元素含量少。本发明的磁体制备方法，设备与工艺较简单。
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公开(公告)号：CN1445196A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03116449.8
申请日：2003-04-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/626 , B28B1/26
Abstract: 本发明公开了静磁场中功能梯度材料凝胶注模的制备方法。其步骤为：1)浇注模具准备；2)将陶瓷粉末和强磁性的金属粉末按一定比例与水或非水溶剂混合后，在球磨机中搅拌制成均匀弥散的浆料；3)在磁场强度为0.1～5.0特斯拉的静磁场中浇注、固化；4)烘干、烧结成型。本发明方法的优点是：可以制备出成分连续变化的各种厚度的梯度材料；利用成熟的陶瓷凝胶注模法成形工艺使生产功能梯度材料的手续简化、成本降低、性能提高。
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公开(公告)号：CN1422990A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151127.6
申请日：2002-12-02
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B27/00
Abstract: 本发明的生长硅单晶的方法是:将多晶硅在单晶炉中高纯氩气保护下融化、生长,在晶体生长完成后的冷却过程中转换成高纯氮气保护,氮气的压力在5～200Torr,氮气的流量在1～200l/min,直至晶体冷却到室温,出炉。本发明的优点是:在硅单晶在冷却过程中,利用低成本的高纯氮气替代高纯氩气作为保护气,能有效降低大直径硅单晶的生产成本。在硅晶体冷却过程中,晶体的温度不断降低,晶体的表面和氮气基本不反应,没有氮元素的引入,不影响硅单晶的晶体质量。
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公开(公告)号：CN1391238A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136137.1
申请日：2002-07-18
Applicant: 浙江大学 , 宁波韵升(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米复相(Fe3B，α－Fe)/Nd2Fe14B磁性材料制备方法。其步骤为：1)制取合金蒸发靶材；2)蒸发合金，制取纳米粉末；3)收集粉末；4)原位加压制取高密度的纳米复相磁性材料，将合金粉末放入加压室内，先进行预热处理，然后升温并保温加压，降温并同时继续冷压直到合金材料的相对密度达到绝对密度的90％～95％。本发明的制备环境的真空度高，材料的含氧量低，制备装置对原材料的污染小，制备出的纳米颗粒圆滑，表面清洁，晶粒的完整性好，粒度的分布范围窄，颗粒比较的均匀，粒径大小较容易控制，能够控制软硬磁性相晶粒的大小与理论模型很好的符合，同时使用原位加压法能使材料的致密度很高。
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