公开(公告)号：CN105503766A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510957506.6

申请日：2015-12-18

Applicant: 昆山国显光电有限公司 ,  清华大学

Inventor： 段炼 ,  张云阁 ,  刘嵩 ,  赵菲

IPC: C07D265/38 ,  C07D279/22 ,  C07D219/02 ,  C07D241/46 ,  C07D413/14 ,  C07D209/86 ,  C07D417/14 ,  C07D409/14 ,  C09K11/06 ,  C09B19/00 ,  C09B21/00 ,  C09B15/00 ,  C09B17/02 ,  C09B57/00 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D265/38 ,  C07D209/86 ,  C07D219/02 ,  C07D241/46 ,  C07D279/22 ,  C07D409/14 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C09B15/00 ,  C09B17/02 ,  C09B19/00 ,  C09B21/00 ,  C09B57/00 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1033 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074

Abstract: 本发明涉及一种热活化延迟荧光材料，具有式(Ⅰ)或式(Ⅱ)所示结构的通式，其中D为吩噁嗪基，吩噻嗪基，9,9-二甲基吖啶基，9-甲基吩嗪基，9-苯基吩嗪基，4-吩噁嗪基-1-苯基，4-吩噻嗪基-1-苯基，4-(9,9-二甲基)吖啶基-1-苯基，4-(9-甲基)吩嗪基-1-苯基，4-(9-苯基)吩嗪基-1-苯基，3,5-二咔唑基-1-苯基中的一种。本发明还涉及一种有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层的发光染料为所述的热活化延迟荧光材料。热活化延迟荧光材料的单线态-三线态能隙(ΔEST)非常小，三线态激子可以通过反向系间窜跃(RIST)转变成单线态激子发光，可以提高OLED器件的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN103664906B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210364127.2

申请日：2012-09-26

Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

Inventor： 邱勇 ,  汤金明 ,  范洪涛 ,  段炼 ,  任雪艳

IPC: C07D403/14 ,  C07D251/18 ,  C07D251/24 ,  C07D241/20 ,  C07D241/12 ,  C07D239/42 ,  C07D239/26 ,  C07F5/02 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种6,6-二甲基-6H-苯并[cd]芘衍生物，一类如式（1）所示的化合物，其中：n为1或者2；R1-R5是Ar上的不同位置的五个取代基，彼此相同或者不同，并且各自独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基、C1-C20的芳香族基团；Ar为芳香基团；A为N原子或者CH；L为单键、选自C6-C10的芳环或芳杂环。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED的电子传输材料和/或发光主体材料。

公开(公告)号：CN103172524B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110440712.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

Inventor： 邱勇 ,  范洪涛 ,  段炼

IPC: C07C211/61 ,  C07C209/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及一类通式化合物，如下式(1)和(2)中：R1、R2、R5和R6分别独立选自具有1-30个碳原子的直链或支链的烷基，或者选自具有6-30个碳原子的芳基，或选自具有有6-30个碳原子的稠环芳基；R1与R2可连接而形成环状化合物，R5与R6可连接而形成环状化合物；R3、R4、R7和R8分别独立选自如通式(3)所示的二芳基胺基，其中Ar1和Ar2独立选自具有6～50个碳原子的芳基，或选自具有有6-30个碳原子的稠环芳基。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的空穴注入和空穴传输材料，还可以用作发光层中的荧光发光材料。

公开(公告)号：CN103570627B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210264023.4

申请日：2012-07-27

Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

Inventor： 邱勇 ,  李银奎 ,  段炼 ,  范洪涛 ,  任雪艳

IPC: C07D239/26 ,  C07D403/14 ,  C07D239/42 ,  C07D241/12 ,  C07D241/20 ,  C07D251/24 ,  C07D251/18 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明提供了一种新型化合物，其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1～C20的脂肪族烷基或C6～C20的芳香族基团；Ar选自C4～C30的芳环、C4～C30的含N杂环、C4～C30的稠合杂环芳烃、C4～C30的芳氨基或C4～C30的芳氧基；n为1或2；A1至A4为N原子或C原子；当A1、A3同时为N原子时，A2和A4为C原子；或者，当A1、A4同时为N原子时，A2和A3为C原子；或者，当A2、A4同时为N原子时，A1和A3为C原子；或者，当A3、A4同时为N原子时，A1和A2为C原子；或者，A1、A3、A4同时为N原子时，A2为C原子；L为单键或C6～C10的芳环或C4～C10的含N杂环。该类化合物在有机电致发光器件中用作电子传输层材料或发光主体材料。

公开(公告)号：CN102810483B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210279649.2

申请日：2012-08-07

Applicant: 清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司

Inventor： 邱勇 ,  赵云龙 ,  段炼

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  B05D3/02

Abstract: 本发明公开了涉及薄膜晶体管领域的氧化物半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）制备前驱体溶液，（2）制备反应溶液，在前驱体溶液中加入带有OH或者OR基团的催化剂，搅拌使其充分溶解得到反应溶液；（3）制备氧化物半导体薄膜。本发明还公开了采用该方法制备的氧化物半导体薄膜，包含该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管以及该薄膜晶体管的制备方法。本发明的氧化物半导体薄膜的制备方法通过在前驱体溶液中加入催化剂，改变了溶液法制备半导体薄膜的反应过程，解决了现有技术中采用溶液法制备的氧化物薄膜受前驱体成膜性等因素影响形成的薄膜晶体管的性能不理想、载流子迁移率低的问题。

公开(公告)号：CN104716268A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201310692266.2

申请日：2013-12-17

Applicant: 北京维信诺科技有限公司 ,  清华大学

Inventor： 邱勇 ,  段炼 ,  张东东 ,  张国辉

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0067 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/56 ,  H01L2051/0063 ,  H01L2251/55 ,  H01L51/5004

Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件的发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级，并且相差为0~0.3eV之间的材料；或者，发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级，其差值为1.0eV以上的材料，并且，所述主体材料的n-π激发态的第二三线态能级和CT激发态的第一单线态能级的差值为-0.1~0.1eV；发光染料为荧光染料。本发明的有机电致发光器件由于利用了新的发光层主体材料，能够充分利用发光层中产生的三线态，实现荧光器件中100%的发光效率，并且无需使用贵金属，降低了成本。

公开(公告)号：CN102532001B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201010611148.0

申请日：2010-12-17

Applicant: 清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司

Inventor： 邱勇 ,  黄雨鹏 ,  李银奎 ,  段炼

IPC: C07D213/127 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一类通式化合物如下式所述，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4分别独立选自氢，或独立选自具有1～40个碳原子的烷烃基，或独立选自具有5～50个芳环原子的芳香族，并且Ar1、Ar2、Ar3和Ar4至少含有1个吡啶基团。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为电子传输材料。

公开(公告)号：CN104134753A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410310172.9

申请日：2011-12-31

Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

Inventor： 邱勇 ,  张国辉 ,  段炼

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5004 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/508

Abstract: 一种叠层有机电致发光器件，包括基板及依次形成在基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层；在相邻发光单元层之间具有连接层，连接层具有至少四层结构，包括至少三层电子传输层和一层空穴传输层，电子传输层与空穴传输层的厚度分别为1-100nm，电子传输层与空穴传输层相接触的面为电荷分离界面；形成电荷分离界面的电子传输层采用LUMO能级高于5.0eV的有机材料或采用导带能级为5.5-6.5eV的无机材料；形成电荷分离界面的空穴传输层采用HOMO能级不高于5.7eV的有机材料。本发明通过在电荷分离界面与发光单元层之间设置合适的中间能级层，降低跃迁势垒，降低叠层器件的驱动电压，从而获得较高电流效率。

公开(公告)号：CN102532002B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201010609531.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司

Inventor： 邱勇 ,  马金海 ,  李银奎 ,  段炼

IPC: C07D213/22 ,  C07D213/127 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及一种有机材料和包含该材料的有机电致发光器件。该材料的结构通式如下式所示，其中，Ar1和Ar2选自碳原子数为6至30的亚稠杂环芳烃；Ar1和Ar2可以相同，也可以不同；Ar1和Ar2不同时为氢。本发明的有机材料在有机电致发光器件中可用作电子传输层。

公开(公告)号：CN102372694B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201010258684.7

申请日：2010-08-20

Applicant: 清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司

Inventor： 邱勇 ,  李银奎 ,  黄雨鹏 ,  乔娟 ,  段炼

IPC: C07D401/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及通式(1)的化合物，其中：Ar1、Ar2和Ar3为取代基团，其中至少有两个基团为含有吡啶环的5～60个碳原子的芳香基团，剩余的基团分别独立选自氢原子，或独立选自具有1～40个碳原子的烷烃基，或独立选自具有5～50个碳原子的芳香基团，或独立选自具有5～50个碳原子的含氮杂环；n是1或2。本发明还保护该类化合物在有机电致发光器件中的用途，尤其是作为电致磷光器件中磷光掺杂物的基质材料。