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公开(公告)号：CN205789932U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620509927.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。
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公开(公告)号：CN202435382U
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201220001486.7
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的7-3计数器，包括一个七输入阈值逻辑门、一个八输入阈值逻辑门和一个九输入阈值逻辑门；该电路仅由3个阈值逻辑门和2个反相器构成,共消耗5个PMOS管，5个NMOS管和3个SET。而基于布尔逻辑的CMOS7-3计数器则要消耗194个晶体管。整个电路的平均功耗仅为6.92nW。相比而言，本实用新型提出的7-3计数器管子数目大大减少，电路功耗显著降低，电路结构得到了进一步的简化，有望应用于乘法器、多输入加法器以及数字信号处理器中。
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公开(公告)号：CN202435381U
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201220001500.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种由纳米器件组成的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元。其由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成，所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接；其通过对输入端的偏置，就能够实现或、或非、与、与非逻辑功能，而不需要改变电路的器件参数。该可重构阈值逻辑单元结构简单、功耗低、集成度高，同时具有较高的可重构特性，能够有效地实现同一单元的不同逻辑功能。
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公开(公告)号：CN202435379U
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201220001445.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/08
Abstract: 本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSPICE的仿真结果表明该电路能够有效地实现乘法器单元的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为12nW。与基于布尔逻辑的CMOS乘法器单元相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN202352707U
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201120507873.3
申请日：2011-12-08
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352
Abstract: 本实用新型涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与所有叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210488594U
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201920746802.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种基于MCU的PSO-BP神经网络传感器校准系统,其特征在于:所述系统包括微处理器、通信模块、校准模块、数码管显示模块和存储单元；所述微处理器通过AHB-Lite总线与通信模块、校准模块、数码管显示模块和存储单元分别连接；所述通信模块与待测传感器连接。本实用新型可以实时对传感器读出数据的校正，可有效消除传感器的非线性特性，解决了现有的软件校准方式实时性差、硬件校准方式精度有限等缺陷。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210136195U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201920913323.8
申请日：2019-06-18
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于电容式湿度传感器的读出电路。包括多路选择器、电容数字转换器，所述电容数字转换器包括Sigma-Delta调制器和数字抽取滤波器；所述多路选择器的输入端与电容式湿度传感器的输出端连接，多路选择器的输出端经Sigma-Delta调制器与数字抽取滤波器的输入端连接，数字抽取滤波器的输出端作为整个读出电路的数字信号输出端。本实用新型可以应用在多种电容式湿度传感器的测量，将电容式湿度传感器的感应电容信号直接转换为数字信号输出，以便于与现代数字信号处理器直接连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209945256U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201920925411.X
申请日：2019-06-19
Applicant: 福州大学
IPC: G01B7/30
Abstract: 本实用新型涉及一种片上集成的环形霍尔角度传感器。其结构为由横截面为梯形的八个立体相接构成的正八边形环状柱体，每一横截面为梯形的立体均包括N阱层、位于N阱层两旁侧且与N阱层相接的两个P衬底层、设于N阱层上部的N+注入层、设于N阱层上部且位于N+注入层两旁的两个P+注入层、设于N阱层上表面且与N+注入层电性连接的N接触电极、设于N阱层上表面且与P+注入层电性连接的P接触电极、设于P衬底层上部的P阱层。本实用新型整个设计采用单传感器集成于芯片内部，减少了芯片的面积和工艺成本，在一定程度上降低了芯片功耗，能够简化角度测控的实现方式，扩大侦测范围。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208297701U
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201820901880.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件。可集成于一芯片上，实现单片集成三维霍尔传感器，所述霍尔器件包括水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件。本实用新型通过对水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件的结构进行改进创新，提高其性能，使其能够应用于单片集成的三维霍尔传感器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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