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公开(公告)号：CN110310972A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910805990.9
申请日：2019-08-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 本发明实施例公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管阵列；形成在薄膜晶体管阵列上的至少一个像素电极；形成在像素电极上的像素定义层，像素定义层上形成有至少一个开口，暴露出像素电极，像素定义层在垂直于衬底所在平面方向上的尺寸，大于像素电极暴露部分在平行于衬底所在平面方向上的尺寸；形成在像素定义层上的光电探测器件层，位于开口内；形成在光电探测器件层上的顶电极。本发明实施例的技术方案通过在像素定义层设置高深比的比值大于1的“深井型结构”的开口，将光电探测器件层形成在像素定义层的开口内，使得照射到光电探测单元之间的入射光不会产生光学串扰问题。
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公开(公告)号：CN103545221B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201310564204.3
申请日：2013-11-14
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，制备方法依次包括：a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上使用物理气相沉积方法沉积非金属薄膜作为背沟道刻蚀保护层；e.在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层然后对金属层图形化作为源、漏电极图形；f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明制备工艺简单，所制备的金属氧化物薄膜晶体管稳定性好、尺寸小，可实现金属氧化物薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。
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公开(公告)号：CN107359283A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710585983.3
申请日：2017-07-18
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211
摘要： 本发明公开了阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括多个像素单元，像素单元包括沿行方向交替排布第一类像素单元和第二类像素单元，第一类像素单元和第二类像素单元包括第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元，沿行方向顺序排布的相邻第一类像素单元和第二类像素单元的第一子像素单元相邻设置，方法包括：采用第一掩膜板形成第一功能层；采用第二掩膜板在第一功能层上的第一子像素单元和第二子像素单元中形成第二功能层；采用第三掩膜板在第一功能层上的第一子像素单元中形成第三功能层；采用第四掩膜板形成覆盖全部像素单元的第四功能层。本发明降低了精密蒸镀掩膜板的加工精度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN106887274A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710178564.8
申请日：2017-03-23
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，该制备方法包括：提供一柔性衬底；在柔性衬底上形成纳米材料导电层；在纳米材料导电层上形成无机保护层，无机保护层的组成材料为至少一种宽禁带无机材料，宽禁带无机材料的禁带宽度大于或等于3eV。本发明实施例中无机保护层覆盖在纳米材料导电层上，能够阻隔水氧以保护纳米材料导电层，也能够有效改善纳米材料导电层的稳定性和耐高温性，进而实现柔性透明导电薄膜的高稳定性和优异的耐温性能；而禁带宽度在3eV及以上的无机材料在可见光区域基本无吸收，因此形成的无机保护层也不会导致纳米材料导电层的透过率在可见光范围内(特别是在380‑500nm波段)发生明显的衰减。
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公开(公告)号：CN106816557A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710120773.7
申请日：2017-03-02
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3246
摘要： 本发明公开了一种显示基板、显示基板的制作方法以及显示面板。所述显示基板的制作方法包括：在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层；形成图形化像素定义层以及位于所述图形化像素定义层上的图形化疏水材料层，所述图形化像素定义层定义出多个子像素区域；依次在所述多个子像素区域内形成有机发光层和第二电极层。本发明实施例提供的技术方案，通过在衬底上依次形成开关器件层和第一电极层，形成图形化像素定义层以及位于图形化像素定义层上的图形化疏水材料层，图形化像素定义层定义出多个子像素区域，依次在多个子像素区域内形成有机发光层和第二电极层，达到了降低像素定义层表面疏水的显示基板的制备难度以及成本的有益效果。
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公开(公告)号：CN103730190B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410020227.2
申请日：2014-01-16
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 一种复合铜导电薄膜及其制备方法以及通过该复合导电薄膜制备而成的金属布线电路，复合铜导电薄膜自下而上依次设有增粘层、作为中间导电层的铜基薄膜及用于保护铜基薄膜的保护层，铜基薄膜为铜或者铜合金薄膜，增粘层和所述保护层均为非晶金属氧化物薄膜。其制备方法包括在衬底上依次沉积增粘层、导电层和保护层，形成复合铜导电薄膜，复合铜导电薄膜经过图形化制成复合导电薄膜导线。本发明的复合铜导电薄膜粘附性好、耐氧化性优良。
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公开(公告)号：CN105552080A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610017494.3
申请日：2016-01-13
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11517
摘要： 一种基于金属氧化物薄膜晶体管的非挥发性存储器的制备方法，通过如下步骤进行：a.在衬底上制备并图形化金属或半导体层作为浮栅电极；b.在浮栅电极上沉积第一绝缘层作为隧穿层；c.在第一绝缘层上沉积金属氧化物半导体薄膜并图形化形成第一有源层和第二有源层；d.在第二有源层上连续沉积第二绝缘层和第一金属层，图形化第一金属层作为栅极电极，再以栅极电极为掩膜板、采用自对准的方法，图形化第二绝缘层作为栅极绝缘层；e．沉积并图形化第三绝缘层作为钝化层；f．在第三绝缘层上沉积并图形化第二金属层作为源漏电极。本发明工艺简单。
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公开(公告)号：CN104882486B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510207632.X
申请日：2015-04-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b，b>a；每一个子有源层中，|Ea1|>|Ea2|。本发明的金属氧化物薄膜晶体管同时具有高迁移率和高稳定性。
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公开(公告)号：CN103578428B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310511553.9
申请日：2013-10-25
申请人： 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明公开了一种有源有机电致发光显示器的像素电路的驱动方法，包括多个大周期，每个大周期包括N个帧，第1帧中，编程经过初始化、阈值电压锁存、数据加载和有机发光二极管发光阶段，且阈值电压锁存是从扫描信号中分离出来的；第2～N帧，编程只经过数据加载和有机发光二极管发光阶段；对整个像素阵列而言，在第i行的像素完成初始化步骤时，第i+1行的像素开始进行初始化步骤。本发明可补偿驱动晶体管的阈值电压漂移和有机发光二极管退化，保证显示质量，而且还可以降低功耗并有效提高编程速度。
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公开(公告)号：CN105023761A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510403343.7
申请日：2015-07-11
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 一种用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容，纳米结构电极具有互导互联的金属纳米结构的引出电极，引出电极表面包覆有活性层。还设置有修饰层，修饰层设置于引出电极表面与活性层之间。引出电极为直径5 nm~500 nm、长度大于5 um金属纳米线。活性层的厚度设置为1 nm~1000 nm，活性层由一层或者多层子活性层叠设而成，子活性层的材料为过渡金属氧化物、导电聚合物或者复合赝电容材料中的任意一种。修饰层由一层或者多层子修饰层叠设而成，子修饰层的材料为金属氧化物、金属氮化物或者金属氟化物。该纳米结构电极具有表面积大的特点，使用该这种结构纳米结构电极的赝电容容量大。
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