公开(公告)号：CN1249585C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN98802593.0

申请日：1998-12-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柿沼裕二 ,  北川浩也 ,  嶌田辉男

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/16

CPC classification number: G11C29/765 ,  G06F12/0246

Abstract: 本发明提供具有管理主系统与闪速存储器的数据传送的存储器管理器的闪速存储器系统。存储器管理器具有在从上述主系统提供给闪速存储器的逻辑地址与作为闪速存储器的实际地址的物理地址之间进行变换的地址变换表。而且，地址变换表具有规定为对应于闪速存储器的最小消除单位的结构。使用这样的结构，能够实现写入/读出时间延迟少，能够以高速进行动作，能够适宜地进行不良扇区和不良比特等的管理的闪速存储器系统。

公开(公告)号：CN1505041A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119932.X

申请日：2003-11-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  柿沼裕二 ,  古贺启治

IPC: G11C11/15 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 一种磁存储器件包括：磁阻效应元件，磁阻效应元件包括磁敏感层，该层的磁化方向根据外部磁场而变；写线，向写线提供写电流，以便向磁敏感层施加外部磁场；以及写电流驱动电路，它包括用于控制写线中写电流的方向的电流方向控制部分以及用于将写线中的写电流量控制为恒定值的电流量控制部分。

公开(公告)号：CN1495929A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03125540.X

申请日：2003-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 江崎城一朗 ,  古贺启治 ,  柿沼裕二

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/16

Abstract: 磁阻效应元件包括有磁敏感层的叠层体，外部磁场改变磁敏感层的磁化方向，构成为使电流按垂直于其叠层面的方向流动，设置在叠层体的一面的边上的环形磁性层用沿着叠层面的方向构成轴向并被多根引线穿过，使电流流入多根引线能形成闭合磁路，能更有效地进行磁敏感层的磁化反向。