-
公开(公告)号：CN113203885B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110125131.2
申请日：2021-01-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R15/18
Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。
-
公开(公告)号：CN112904246B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010972764.2
申请日：2020-09-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
-
公开(公告)号：CN113203885A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110125131.2
申请日：2021-01-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R15/18
Abstract: 本发明提供电流传感器、磁传感器和电路。电流传感器包括：设置在导体附近的磁检测装置，其被施加由流过该导体的电流感应产生的被测定磁场，且电阻随被测定磁场的变化而变化；设置在磁检测装置附近的两个线圈，其产生消除被测定磁场的消除磁场；串联连接在两个线圈之间的分流电阻器，其用于检测流过线圈的电流；第一差动放大器，其放大磁检测装置的输出信号，将感应产生消除磁场的电流供给至线圈；和第二差动放大器，其放大分流电阻器的两端电压，输出与流过导体的电流成比例的测定电压。
-
公开(公告)号：CN112904246A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010972764.2
申请日：2020-09-16
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种磁传感器，其包括：包含磁阻效应元件的磁传感器芯片、以及将磁传感器芯片一体地密封的密封部，磁阻效应元件包含磁化方向能够根据外部磁场改变的自由层、以及磁化方向固定的钉扎层。密封部具有第1面以及与该第1面相对的第2面，在从第1面侧的俯视图中的密封部的形状是大致四边形，该大致四边形具有相互大致平行的第1边和第2边、以及与第1边和第2边交叉且相互大致平行的第3边和第4边，在从密封部的第1面侧的俯视图中，在未对磁阻效应元件施加外部磁场的状态下的钉扎层的磁化方向相对于通过使用在第1边上任意设置的多个点的最小二乘法获得的近似直线倾斜。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111044950A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910977680.5
申请日：2019-10-15
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种磁传感器(1)，其具有根据外部磁场改变磁化方向的自由层(26)；参考层(24)，其磁化方向相对于外部磁场固定；位于自由层(26)和参考层(24)之间且具有磁阻效应的间隔层(25)；钉扎层(22)，其与间隔层(25)一起夹住参考层(24)，并与参考层(24)反铁磁性耦合。满足关系-2.5≤λP/λR≤0.5(不包括0)，其中λR是参考层的磁致伸缩系数，λP是钉扎层的磁致伸缩系数。
-
公开(公告)号：CN112596007B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202010391769.6
申请日：2020-05-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 磁传感器具备：磁场转换部，其接受沿第一方向输入的输入磁场，并沿与第一方向正交的第二方向输出输出磁场；磁场检测部，其设置于能够施加有输出磁场的位置；以及磁屏蔽，其遮蔽沿第二方向的外部磁场，当沿第一方向观察时，磁场转换部具有正交于第一方向和第二方向的两者的第三方向上的长度比第二方向上的长度长的形状，当沿第一方向观察时，磁屏蔽设置于与磁场转换部和磁场检测部重叠的位置。
-
公开(公告)号：CN111722164B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010092230.0
申请日：2020-02-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 磁传感器(1)具有相互连接的多个MR元件(11A～14A)。多个MR元件(11A～14A)属于在各自由层(26)的磁化方向沿同一方向旋转规定角度时电阻增加的组(G1)和电阻减少的组(G2)中的任一组。一组的电阻元件的电阻的增加所引起的磁传感器(1)的输出的变动和另一组的电阻元件的电阻的减少所引起的磁传感器(1)的输出的变动相抵消。
-
公开(公告)号：CN110579728B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910480815.7
申请日：2019-06-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。
-
公开(公告)号：CN114114101A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110240071.9
申请日：2021-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.017 seconds)
