磁畴壁移动元件和磁阵列
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115458678A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202210636023.6

    申请日:2022-06-07

    Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁阵列。本发明的磁畴壁移动元件包括磁阻效应部、第1电极、第2电极、第3电极、第1磁化固定层和第2磁化固定层。所述磁阻效应部包括参照层、磁畴壁移动层和非磁性层。所述磁畴壁移动层包括:磁化方向被固定的第1区域和第2区域;和磁化方向可变的第3区域。所述参照层在从第1方向俯视时与所述第1区域和所述第2区域中的至少一部分重叠,所述第1区域和所述第2区域中的至少一者的一部分在与所述第1方向和第2方向正交的第3方向上的长度比所述第3区域短。

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