公开(公告)号：CN108231398A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711352340.0

申请日：2017-12-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川雄平 ,  折笠诚 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  麻生裕文 ,  国塚光祐

IPC: H01F41/04 ,  H05K1/16

Abstract: 平面线圈的制造方法包括：在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2)，该基底导体层(L1)具有：具有一端及另一端的线圈配线部，将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d)，以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e)；在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3)；以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。

公开(公告)号：CN118679609A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280088879.2

申请日：2022-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 陈鸣宇 ,  远藤诚 ,  上林义广 ,  佐藤敬 ,  香西菜摘 ,  田边喜彦 ,  塚本修司 ,  柳田美幸

IPC: H01M4/66

Abstract: 本发明提供一种集电体，其包含：具有第一表面及位于与第一表面相反的一侧的第二表面的树脂层、和含有铜的金属层，其中，金属层包含位于树脂层的第一表面侧的第一金属层，集电体的屈服应力σY1小于树脂层的拉伸破坏应力σB2，集电体的屈服应力σY1[MPa]是根据树脂层的屈服应力σY2[MPa]、树脂层的厚度D2[μm]、金属层的屈服应力σY3[MPa]、及金属层的厚度D3[μm]通过下述式(1)、(2)求得的值，金属层的屈服应力σY3[MPa]是根据金属层的X射线衍射图案中的强度最高的X射线衍射峰的半值宽度β[°]通过下述式(3)求得的值，σY1＝A×σY3+(1‑A)×σY2(1)A＝D3/(D2+D3)(2)#imgabs0#

公开(公告)号：CN118044007A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202180102841.1

申请日：2021-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木稜 ,  远藤诚 ,  陈鸣宇 ,  上林义广 ,  佐藤敬 ,  香西菜摘 ,  田边喜彦 ,  塚本修司 ,  柳田美幸 ,  田中浩介 ,  池成俊

IPC: H01M4/66

Abstract: 集电体具备树脂层、导电层、位于所述树脂层和所述导电层之间的第一中间层、以及位于所述第一中间层和所述树脂层之间的第二中间层，所述第一中间层含有金属作为主成分，所述第二中间层含有金属氧化物作为主成分。

公开(公告)号：CN115413375A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202180004870.4

申请日：2021-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 青木卓也 ,  东修二 ,  柳田美幸 ,  远藤诚 ,  上林义广

IPC: H01M4/133 ,  H01M4/587 ,  H01M4/66 ,  H01M10/05

Abstract: 蓄电器件用电极包括树脂层(11)、配置于树脂层(11)上的含有铜的导电层(12)、和配置于导电层(12)上且含有石墨的活性物质层(20)，在从活性物质层(20)的表面通过X射线衍射法测量的情况下，衍射角48°以上且53°以下的范围的最高的X射线衍射峰的强度A与衍射角52°以上且57°以下的范围的最高的X射线衍射峰的强度B的峰强度的比率A/B满足下述(1)式，0.3≤A/B≤1(1)。

公开(公告)号：CN108235570B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201711352356.1

申请日：2017-12-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 堀川雄平 ,  折笠诚 ,  上林义广 ,  阿部寿之 ,  麻生裕文 ,  国塚光祐

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/18

Abstract: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备：基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含：具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a)，将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d)，将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。