公开(公告)号：CN100405187C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510076467.5

申请日：2005-06-14

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 井上大辅 ,  伊藤英毅 ,  田中大充 ,  神野贵志

IPC: G02F1/1341 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F2001/13415

Abstract: 在玻璃衬底上形成密封部件，并且在由密封部件包围的区域中以矩阵的形式布置滴下点。布置在最外面的列和第二最外面的列中的滴下点被分别连接以假设第一直线和第二直线。假设第三直线与第一直线和第二直线等距。以如下方式确定滴下点的位置，即在4个边分割区域中的滴下点的密度是作为整体的区域中的滴下点的密度的0.9到1.1倍，并且在4个角分割区域中的滴下点的密度是在作为整体的区域中的滴下点的密度的0.83到1.17倍。根据间隔物高度按需要增加或降低滴下点的数目。向每个滴下点滴下液晶。

公开(公告)号：CN101187762A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710193670.X

申请日：2007-11-23

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 佐佐木洋一 ,  铃木照晃 ,  杉本光弘 ,  沟口亲明 ,  田中大充

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13378 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/134363

Abstract: 本发明的制造方法涉及下述一种液晶显示设备的制造方法，该液晶显示设备包括阵列基板、与阵列基板相对的相对基板、以及夹在该对基板之间的液晶层。该方法包括对形成在该对基板的至少一个基板的与液晶接触的表面上的取向膜进行取向处理的步骤。在能量强度在最后的辐射步骤中设为最低的同时，在多个步骤中通过给取向膜辐射具有各向异性的能量，如离子束来进行所述取向处理。

公开(公告)号：CN1713044A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510076463.7

申请日：2005-06-15

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 井上大辅 ,  伊藤英毅 ,  田中大充 ,  神野贵志

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02F1/13394

Abstract: 在彩色滤光器衬底上形成第一和第二柱形间隔物，并且在与信号线相同的步骤中在有源矩阵衬底上形成台阶膜。通过接近式曝光形成柱形间隔物，并且通过用透镜投影系统的曝光来形成台阶膜。在平面图中，台阶膜布置在柱形间隔物之内。使第一柱形间隔物与保护膜的区域接触，其中该区域在高度上高于有源矩阵衬底中的台阶膜。