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公开(公告)号:CN107768449A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710975923.2
申请日:2015-06-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H02S30/10
Abstract: 本申请涉及太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括:上基板;下基板,其与所述上基板相对;太阳能电池面板,其放置在所述上基板和所述下基板之间,所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池,所述多个太阳能电池以矩阵形式布置,并且通过接线构件彼此连接,以形成串;钝化层,其被构造成封装所述太阳能电池面板;框架,其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周;连接端子,其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串;以及盖构件,其被构造成覆盖所述连接端子。
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公开(公告)号:CN106997906A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201710024078.0
申请日:2017-01-13
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 公开了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的晶体半导体基板;前掺杂层,所述前掺杂层在所述半导体基板的前表面上并与所述半导体基板形成异质结;后掺杂层,所述后掺杂层在所述半导体基板的后表面上并与所述半导体基板形成异质结;前透明导电层,所述前透明导电层在所述前掺杂层上;后透明导电层,所述后透明导电层在所述后掺杂层下。所述前掺杂层和所述后掺杂层中的一个具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型,以与所述半导体基板形成p‑n结,而所述前掺杂层和所述后掺杂层中的另一个具有所述第一导电类型。所述前透明导电层的平面面积大于所述后透明导电层的平面面积。
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公开(公告)号:CN108346710B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN201810366917.1
申请日:2015-07-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/042
Abstract: 一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,其各自包括半导体基板、设置在半导体基板的前表面上的第一电极以及设置在半导体基板的后表面上的第二电极;以及多个布线构件,其将多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一电极连接到与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极。第一电极的至少一部分包括布线构件与第一电极的交叉处的第一焊盘,第一焊盘中的每一个的宽度大于第一电极的宽度。第一焊盘中的至少一个的尺寸不同于其余的第一焊盘的尺寸。
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公开(公告)号:CN105261663A
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201510395223.7
申请日:2015-07-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/05
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/022433 , H01L31/042 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,其各自包括半导体基板、设置在半导体基板的前表面上的第一电极以及设置在半导体基板的后表面上的第二电极;以及多个布线构件,其将多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一电极连接到与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极。第一电极的至少一部分包括布线构件与第一电极的交叉处的第一焊盘,第一焊盘中的每一个的宽度大于第一电极的宽度。第一焊盘中的至少一个的尺寸不同于其余的第一焊盘的尺寸。
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公开(公告)号:CN119604976A
公开(公告)日:2025-03-11
申请号:CN202380055276.7
申请日:2023-07-20
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L23/00 , H10H20/825 , H10H20/80 , H10H20/812 , H10H20/83 , H10H29/30
Abstract: 本发明涉及一种显示器像素用半导体发光器件和包括其的显示装置。本发明的显示器像素用半导体发光器件可以包括:发光结构物,包括第一导电型半导体层、有源层及第二导电型半导体层;第一接触电极,与所述第一导电型半导体层电连接;金属层,配置在所述第一导电型半导体层的下方;第二接触电极,配置在所述第二导电型半导体层上;以及钝化层,配置在所述发光结构物上。所述金属层可以包括磁性物质,所述磁性物质的重量与所述半导体发光器件的重量的比率可以是0.25%~36.75%。
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公开(公告)号:CN107768449B
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201710975923.2
申请日:2015-06-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H02S30/10
Abstract: 本申请涉及太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括:上基板;下基板,其与所述上基板相对;太阳能电池面板,其放置在所述上基板和所述下基板之间,所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池,所述多个太阳能电池以矩阵形式布置,并且通过接线构件彼此连接,以形成串;钝化层,其被构造成封装所述太阳能电池面板;框架,其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周;连接端子,其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串;以及盖构件,其被构造成覆盖所述连接端子。
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公开(公告)号:CN108336170A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810039075.9
申请日:2018-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/32055 , H01L21/02592 , H01L21/28 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/202
Abstract: 公开了一种制造太阳能电池的方法。该制造太阳能电池的方法包括以下步骤:在半导体基板的表面上沉积本征非晶硅层;在所述本征非晶硅层上沉积包含杂质的非晶硅层以形成导电区域;以及形成与所述导电区域电连接的电极。沉积本征非晶硅层的步骤包括以0.5nm/秒至2.0nm/秒的沉积速率在所述半导体基板的表面上沉积所述本征非晶硅。
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公开(公告)号:CN105261663B
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201510395223.7
申请日:2015-07-07
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/05
CPC classification number: H01L31/0516 , H01L31/022433 , H01L31/042 , H01L31/0504 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,其各自包括半导体基板、设置在半导体基板的前表面上的第一电极以及设置在半导体基板的后表面上的第二电极;以及多个布线构件,其将多个太阳能电池中的第一太阳能电池的第一电极连接到与第一太阳能电池相邻的第二太阳能电池的第二电极。第一电极的至少一部分包括布线构件与第一电极的交叉处的第一焊盘,第一焊盘中的每一个的宽度大于第一电极的宽度。第一焊盘中的至少一个的尺寸不同于其余的第一焊盘的尺寸。
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公开(公告)号:CN105226120A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510363766.0
申请日:2015-06-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/048 , H02S40/34
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0508 , H02S30/10 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , H01L31/0481
Abstract: 本申请涉及太阳能电池模块。该太阳能电池模块包括:上基板;下基板,其与所述上基板相对;太阳能电池面板,其放置在所述上基板和所述下基板之间,所述太阳能电池面板包括多个太阳能电池,所述多个太阳能电池以矩阵形式布置,并且通过接线构件彼此连接,以形成串;钝化层,其被构造成封装所述太阳能电池面板;框架,其被构造成围绕所述太阳能电池面板的外周;连接端子,其被构造成连接所述太阳能电池面板中两个相邻的串;以及盖构件,其被构造成覆盖所述连接端子。
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公开(公告)号:CN102544135B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110441952.3
申请日:2011-12-26
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括:基板;位于所述基板处的发射极区,其具有第一薄层电阻率;位于所述基板处的第一高掺杂区,其具有小于所述第一薄层电阻率的第二薄层电阻率;第一电极,其位于所述基板处并且连接到所述发射极区和所述第一高掺杂区;以及第二电极,其位于所述基板处并且连接到所述基板,其中,所述第一高掺杂区与所述第一电极交叉,并且连接到所述第一电极,所述第一高掺杂区的上表面从所述发射极区的上表面向所述基板的光入射表面突出,以及所述第一高掺杂区的下表面具有与所述发射极区的下表面相同的高度。
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