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公开(公告)号:CN1759135A
公开(公告)日:2006-04-12
申请号:CN200480006418.8
申请日:2004-04-16
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C08G77/12 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: H01L21/3122 , C08G77/12 , C08G77/50 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机硅氧烷树脂和使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜。该绝缘膜是通过使用有机硅氧烷树脂而被制备,其中,有机硅氧烷树脂为含有一种或多种氢化硅烷化合物的硅烷复合物的水解-缩合聚合物。本发明的有机硅氧烷树脂和使用该树脂的绝缘膜具有优良的机械特性和低介电特性,并且因此,适合用于高度集成的半导体设备。
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公开(公告)号:CN1246362C
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN01815814.5
申请日:2001-09-18
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C08G77/50 , C08G77/06 , C09D183/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、高性能的低电介质材料,这种材料是新一代发电装置所必不可少的,如半导体装置。具体地说,本发明提供了:一种制备有机硅酸盐聚合物的方法,它包括在没有均化有机溶剂情况下的聚合步骤,在催化剂存在下搅拌有机硅烷化合物和水并使其相互作用,使有机硅烷化合物水解并缩合,这种聚合物具有热稳定性、优良的机械性能和抗龟裂性;一种用于制备低电介质绝缘膜的涂层组合物;一种利用上述的方法制备的有机硅酸盐聚合物制备低电介质绝缘膜的方法,及一种具有利用本发明的方法制备的低电介质绝缘膜的电装置。
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