公开(公告)号：CN111512226B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201880082414.X

申请日：2018-10-31

Applicant: HOYA株式会社 ,  HOYA电子新加坡股份有限公司

Inventor： 宍戸博明 ,  桥本雅广 ,  打田崇 ,  内田真理子

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/74 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。

公开(公告)号：CN110770652B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201880039083.1

申请日：2018-05-16

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 桥本雅广 ,  宍户博明

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有相移膜(2)和遮光膜(3)的结构，相移膜与遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，遮光膜具备从透光性基板侧起层叠有下层(31)及上层(32)的结构，下层由铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，上层由金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，上层对于曝光光的消光系数kU大于下层对于曝光光的消光系数kL。

公开(公告)号：CN112189167A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201980034001.9

申请日：2019-05-08

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 前田仁 ,  宍户博明 ,  桥本雅广

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层(21)及第2层(22)的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。

公开(公告)号：CN112147840A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010564772.3

申请日：2020-06-19

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 福井亨 ,  桥本雅广 ,  打田崇

IPC: G03F1/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一种掩膜基板，能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时，防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下。在波长区域的光透过所述防反射部时波长区域的光所产生的相位差为28度以上。

公开(公告)号：CN102109756B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201010547438.3

申请日：2010-11-15

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 桥本雅广 ,  野泽顺

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明涉及一种使基板再生的方法，该方法通过除去在由玻璃构成的基板的主表面上具备图案形成用的薄膜的掩模坯体、或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的所述薄膜，从而使基板再生，该方法中，通过使掩模坯体或转印用掩模的薄膜与含有氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、和氙(Xe)中的任意元素与氟(F)的化合物的非激发状态的物质接触并将其除去，从而使基板再生。

公开(公告)号：CN102165369A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138311.1

申请日：2009-09-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 桥本雅广 ,  小凑淳志

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/14 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明的目的在于，使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9％原子百分比以上40％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为45％原子百分比以下。