公开(公告)号：CN107207458A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008270.4

申请日：2016-07-21

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  水口良 ,  饵取秀树 ,  石塚亚弥

IPC: C07D333/50 ,  C07B61/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  C09D11/52 ,  C09D201/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07B61/00 ,  C07D333/50 ,  C09D5/24 ,  C09D7/40 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  C09D201/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0558

Abstract: 提供在溶剂中的溶解性优异、即使不经由复杂的工艺也容易地生产出呈高迁移率的膜的化合物、及使用其的有机半导体材料，进而还提供能够简便地制作实用的构成的有机晶体管的有机半导体墨。通过二萘并噻吩衍生物的制造方法来解决问题，其是一种二萘并噻吩衍生物的制造方法，具有以下(I)及(II)的工序。((I)第一工序，使通式(A)所示的萘酚衍生物和通式(B)所示的萘硫酚衍生物在酸存在下脱水缩合，制造通式(C)所示的硫醚衍生物；(II)第二工序，通过前述硫醚衍生物(C)在过渡金属的盐或过渡金属的络合物存在下的脱氢化反应，制造二萘并噻吩衍生物(D)。)。

公开(公告)号：CN102484204B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201080034363.7

申请日：2010-10-12

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供不易破裂轻量且廉价、耐久性优异、并且具有适于电荷输送的有机半导体纳米线的网络结构的光电转换元件。此外，为了提供该光电转换元件，本发明中，提供含有短径为50nm以下且长度相对于该短径的比例(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线作为给电子性材料的光电转换元件用材料。本发明中，能够以低成本提供来自酞菁的高耐光性的、寿命长的光电转换元件，进而，通过使用该光电转换元件，利用该光电转换元件的特征，能够以低成本构筑寿命长的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN102576579B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080039894.5

申请日：2010-12-21

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  饵取秀树 ,  五十住宏 ,  笠井正纪

IPC: H01B1/22 ,  B22F1/00 ,  C09D11/03 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0074 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/03 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明提供一种能够进行150℃以下的低温烧成、也能够进行对高温下不能印刷的塑料制基板的印刷的丝网印刷用导电性糊剂。所述丝网印刷用导电性糊剂是含有被含碱性氮原子的有机化合物(X)保护的金属纳米粒子(Y)、所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)和有机溶剂(B)的丝网印刷用导电性糊剂，其特征在于，使用碳原子数6～10的脂肪族单羧酸和/或无取代脂肪族二羧酸酐作为所述金属纳米粒子的脱保护剂(A)，并且使用聚亚烷基二醇作为有机溶剂(B)。

公开(公告)号：CN103429668B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201180067485.0

申请日：2011-05-19

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔

IPC: C09B47/04 ,  B82Y20/00 ,  C09B47/24 ,  C09B67/02 ,  C09B67/20 ,  C09D11/52 ,  H01L27/146 ,  H01L51/42 ,  H01L51/00

CPC classification number: C09B47/04 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09B47/0673 ,  C09B47/0675 ,  C09B47/0678 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0097 ,  C09B69/00 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜，因此，可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。

公开(公告)号：CN119585341A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054470.3

申请日：2023-07-31

Applicant: DIC株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

Inventor： 稻垣翔 ,  高野启 ,  甲斐英知 ,  中山敦好 ,  川崎典起 ,  山野尚子

IPC: C08G63/60 ,  C08G63/78 ,  C08L101/16

Abstract: 根据本发明，能够提供一种由3‑羟基丁酸形成的共聚酯及其制造方法，该共聚酯表现出高生物降解性，并且通过将源自分解物的酸值控制在一定值以下，能够抑制水解性、臭气。本发明的共聚酯具有源自3HB的结构单元(3HB‑U)、源自DA的结构单元(DA‑U)和源自DO的结构单元(DO‑U)。相对于前述共聚酯的全部结构单元100摩尔，3HB‑U的含有率为1～65摩尔％，前述共聚酯中的3HB‑U的平均链长为2～80，前述共聚酯的酸值为5以下。

公开(公告)号：CN117043224A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280022855.7

申请日：2022-02-17

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 里川雄一 ,  稻垣翔 ,  远藤瑞纪 ,  甲斐英知 ,  高野启 ,  土肥知树

IPC: C08G63/06

Abstract: 一种改性聚酯树脂的制造方法，其特征在于，包括使聚羟基烷酸酯与反应性原料在无溶剂下、且低于所述聚羟基烷酸酯的分解温度的反应温度下反应的工序，所述反应性原料满足下述条件(A‑1)和条件(A‑2)中的至少任一者以及下述条件(B)。条件(A‑1)：所述反应性原料含有二醇和二羧酸成分。条件(A‑2)：所述反应性原料含有除所述聚羟基烷酸酯以外的聚酯树脂。条件(B)：构成所述反应性原料的芳香族单体在所述反应性原料中的比例为0摩尔％以上且小于50摩尔％。

公开(公告)号：CN108495833B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201780008026.2

申请日：2017-03-14

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 稻垣翔 ,  石塚亚弥 ,  饵取秀树

IPC: C07C15/28 ,  C09D11/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 提供通过湿式成膜法获得表现高迁移率的半导体元件的半导体材料，及提供获得该半导体材料的化合物。通式(1)所示的化合物(式中，Ar表示任选具有取代基的芳香族烃基或任选具有取代基的杂芳香族基团，R1表示非环式的碳原子数1～20的烷基(该烷基中的‑CH2‑以氧原子、硫原子及氮原子各自不直接键合的方式任选被‑O‑、‑R’C＝CR’‑、‑CO‑、‑OCO‑、‑COO‑、‑S‑、‑SO2‑、‑SO‑、‑NH‑、‑NR’‑或‑C≡C‑取代，该烷基中的氢原子任选被卤素基团、腈基或芳香族基团取代(其中，R’表示碳原子数1～20的非环式或环式的烷基)。

公开(公告)号：CN102272234B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080003942.5

申请日：2010-04-13

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔 ,  五十住宏 ,  笠井正纪

IPC: C09B47/04 ,  C09B47/24 ,  C09B69/10 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C09D11/037 ,  C09D7/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C08K5/3417 ,  C09B47/24 ,  C09B47/26 ,  C09B69/108 ,  C09D7/70 ,  C09D11/037 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。

公开(公告)号：CN103429668A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180067485.0

申请日：2011-05-19

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔

IPC: C09B47/04 ,  B82Y20/00 ,  C09B47/24 ,  C09B67/02 ,  C09B67/20 ,  C09D11/00 ,  H01L27/146 ,  H01L51/42

CPC classification number: C09B47/04 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C09B47/0673 ,  C09B47/0675 ,  C09B47/0678 ,  C09B67/0019 ,  C09B67/0097 ,  C09B69/00 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/4253 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供酞菁纳米棒、含有该酞菁纳米棒的墨组合物、含有该酞菁纳米棒的晶体管、含有该酞菁纳米棒的光电转换元件用材料以及特征在于在正极与负极之间含有该酞菁纳米棒的光电转换元件。通过涂布、印刷法等湿法可以将含有本发明的纳米棒的墨组合物成膜，因此，可以在柔性塑料基板上提供难以破坏且轻量的廉价的电子元件。

公开(公告)号：CN102272234A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080003942.5

申请日：2010-04-13

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 饵取秀树 ,  村田秀之 ,  深泽宪正 ,  稻垣翔 ,  五十住宏 ,  笠井正纪

IPC: C09B47/04 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09B47/24 ,  C09B67/22 ,  C09D11/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C08K5/3417 ,  C09B47/24 ,  C09B47/26 ,  C09B69/108 ,  C09D7/70 ,  C09D11/037 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0545 ,  Y10T428/298

Abstract: 本发明提供短径为100nm以下且长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上的酞菁纳米线，以及特征在于以该酞菁纳米线和有机溶剂为必须成分的油墨组合物、含有酞菁纳米线的膜、具有该膜的电子元件。由于含有本发明的酞菁纳米线的油墨组合物可通过涂布及印刷等湿法工艺成膜，因此可以在柔性塑料基板上提供不容易损坏的轻量而便宜的电子元件。