公开(公告)号：CN101645391A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200810172612.3

申请日：2008-11-04

Applicant: 首尔大学校产学协力团

Inventor： 洪承焄 ,  朴成英 ,  南宫宣

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/773

Abstract: 本发明提供制造诸如纳米线和碳纳米管的纳米结构的交叉结构的技术。在一个实施方案中，制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，图案化所述衬底上的第一掩模层，将第一纳米结构吸附到其中不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，将第一掩模层从衬底移除，图案化其中吸附有第一纳米结构的衬底上的第二掩模层，和在衬底上有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在第二掩模层的衬底的表面区域上。