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公开(公告)号：CN102448002A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110295838.4
申请日：2011-09-28
申请人： 雅马哈株式会社
IPC分类号： H04R19/04
CPC分类号： H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00666 , H04R7/26 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2201/401
摘要： 本发明提供一种电容式传声器阵列芯片和微机电系统变换器阵列芯片的制造方法。其中多个电容式传声器结构制作成单个电容式传声器阵列芯片。该电容式传声器阵列芯片包括具有用作空气腔的多个开口的基板、形成在开口的外周边中的第一绝缘层、延伸在开口的每一个之上的第一电极层、在开口的外周边中形成在第一电极层之上的第二绝缘层、相对于第一电极层隔着第一电极层与第二电极层之间的空气间隙形成在第二绝缘层之上的第二电极层。该结构通过多个桥连接，并且通过其间的多个沟槽分开。沟槽围绕桥，从而至少第二绝缘层部分地从沟槽去除。桥采用用作电连接电容式传声器结构的配线的第二电极层形成。
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公开(公告)号：CN1819126B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610006113.8
申请日：2006-01-16
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 铃木民人
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L21/823864
摘要： 本发明涉及半导体器件制造方法。在晶片(10)的隔离膜(16)中的元件开口(16a和16b)中形成不同厚度的栅极绝缘膜(12A和12B)。栅极绝缘膜(12B)为最薄栅极绝缘膜。厚度与最薄栅极绝缘膜(12B)相同的虚设绝缘膜形成在晶片周边区域(WP)中。栅极电极(20A和20B)形成在栅极绝缘膜(12A和12B)上，其后在晶片表面上沉积绝缘膜。干法蚀刻所沉积的绝缘膜，从而在栅极电极(20A和20B)的侧壁上形成侧壁间隔层(22a至22d)。在干法蚀刻期间，通过蚀刻副产物发射谱强度的变化探测元件开口(16b)和区域(WP)中暴露出半导体表面的时间作为蚀刻终点。
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公开(公告)号：CN101406069A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010342.X
申请日：2007-03-28
申请人： 雅马哈株式会社
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 本发明提供一种电容器麦克风，其中，利用简单的制造工艺改善了膜片的振动特性，并且减小了发生在膜片和背板之间的寄生电容，从而提高灵敏度。具体地，具有包括中心部和多个臂的齿轮状形状的膜片以及具有包括中心部和多个臂的齿轮状形状的背板在基板上方彼此相对布置，使得膜片的臂和背板的臂彼此不面对。另外，可以在基板上方彼此独立地支撑膜片和背板。而且，可以在膜片的中心部中形成多个孔，使得利用插入到孔中的多个支撑将背板支撑在基板上方。
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公开(公告)号：CN101132652A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710142377.0
申请日：2007-08-22
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 铃木民人
CPC分类号： H04R31/003 , H04R19/005 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/49002
摘要： 一种电容传感器的制造方法，包括的步骤为：(a)沉积将成为隔膜的膜，所述隔膜形成移动电极；(b)把将成为隔膜的膜加热到第一温度；及(c)沉积将成为板的膜，所述板形成与移动电极相对的静止电极。电容传感器的隔膜和板的应力被优化。
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公开(公告)号：CN1819126A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006113.8
申请日：2006-01-16
申请人： 雅马哈株式会社
发明人： 铃木民人
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/823857 , H01L21/823864
摘要： 本发明涉及半导体器件制造方法。在晶片10的隔离膜16中的元件开口16a和16b中形成不同厚度的栅极绝缘膜12A和12B。栅极绝缘膜12B为最薄栅极绝缘膜。厚度与最薄栅极绝缘膜12B相同的虚设绝缘膜形成在晶片周边区域WP中。栅极电极20A和20B形成在栅极绝缘膜12A和12B上，其后在晶片表面上沉积绝缘膜。干法蚀刻所沉积的绝缘膜，从而在栅极电极20A和20B的侧壁上形成侧壁间隔层22a至22d。在干法蚀刻期间，通过蚀刻副产物发射谱强度的变化探测元件开口16b和区域WP中暴露出半导体表面的时间作为蚀刻终点。
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