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公开(公告)号：CN113777081A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110841127.6
申请日：2021-07-26
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种水溶性红绿蓝量子点混合溶液制备色卡的方法，首先制备水溶性红绿蓝量子点溶液，分别按一定比例将水溶性红绿蓝量子点溶液加入水性涂料中，搅拌后均匀涂覆在刚性或柔性衬底上。分别在白光以及365nm的紫外光激发下观察红绿蓝量子点混合溶液在玻璃片以及无纺布上的发光情况，根据CIE色度图显示的样品的荧光颜色可以制作从蓝色区域逐渐过渡到红色区域的色卡，NTSC色域范围可以达到100%。这种水溶性红绿蓝混合量子点制备的色卡，具有发光颜色可调，色域宽，亮度高，可多次激发，稳定性好的特点，可应用于高速隧道，护栏，执勤人员衣服，提示注意来往车辆，提高驾驶安全性，改善道路交通安全。
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公开(公告)号：CN112625681A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN112428646A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011430716.7
申请日：2020-12-09
IPC: B32B27/28 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/00 , B32B37/24 , B32B38/14 , B41M3/14
Abstract: 本发明涉及一种基于光学凸起面的可双层识别量子点防伪标签及制备方法。包括基板层，在基板层上设置的光学凸起面层和量子点发光层，以及在最上面的盖板层。通过在随机分布且密度可控的光学凸起上采用打印或是印刷工艺制备量子点发光层，通过盖板层进行封装后，利用光学颗粒的匀光能力和光学凸起面带来的空间落差，可以对同一个平面区域的不同高度采集到不同的不可复制的图案。本发明提出的可双层识别量子点防伪标签，其工艺过程简单、成本低，化学性质稳定，可适配柔性可拉伸应用，结合量子点的丰富色彩可实现多种颜色的双层递进式防伪，通过建立两套智能标签学习库，即可实现图像的识别。该量子点防伪标签的双层识别设计兼顾易检测性和防伪能力，第一层识别只需要便携式镜头配合激发光源与电子设备连接，易于日常检测；第二层识别图案精度可达到纳米级别，可以保证足够强的防伪能力。
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公开(公告)号：CN115377339B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
IPC: H10K71/00 , H10K50/10 , H10K50/115
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN113540372B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110675293.3
申请日：2021-06-18
Abstract: 本发明提出一种基于LS技术的叠层白光QLED及制备方法，其提供的叠层白光QLED包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、三色量子点发光层、电子传输层以及阴极层。本发明所制备的叠层白光QLED，可以直接通过LS技术直接将三种不同颜色的量子点薄膜转移到器件上，并且没有溶剂的参与，无需在红、绿、蓝三色量子点发光层之间添加缓冲层，节省工艺流程，实现低开启电压的叠层白光QLED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113937244A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111005348.6
申请日：2021-08-30
Abstract: 本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN113937242A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110984773.8
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN112701230B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202011538453.1
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
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公开(公告)号：CN113540372A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110675293.3
申请日：2021-06-18
Abstract: 本发明提出一种基于LS技术的叠层白光QLED及制备方法，其提供的叠层白光QLED包括基板、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、三色量子点发光层、电子传输层以及阴极层。本发明所制备的叠层白光QLED，可以直接通过LS技术直接将三种不同颜色的量子点薄膜转移到器件上，并且没有溶剂的参与，无需在红、绿、蓝三色量子点发光层之间添加缓冲层，节省工艺流程，实现低开启电压的叠层白光QLED。
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公开(公告)号：CN112820825A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110039375.9
申请日：2021-01-13
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种基于无铅钙钛矿人工突触器件的制备方法。所述方法先对玻璃基片做清洗与等离子处理，然后在基片上在滴加无铅钙钛矿前驱液，在旋涂过程中滴加甲苯使其形成无铅钙钛矿薄膜；最后在无铅钙钛矿薄膜上蒸镀金电极，制得无铅钙钛矿人工突触器件。本发明方法简单易操作，制备出的钙钛矿薄膜致密均匀、覆盖度好；通过调整滴加甲苯的时间点来调控成膜效果，在最优时间点下得到致密、均匀的无铅钙钛矿薄膜，制备出性能良好、绿色环保的无铅钙钛矿的人工突触器件。
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