一种光纤及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102654602B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201210138617.0

    申请日:2012-05-08

    摘要: 本发明涉及一种光纤及其制造方法,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层平均折射率n1、包层折射率n2和纯二氧化硅折射率n0,满足n1=(0.997~1.0012)*n0,n2=n1-(0.0025~0.0045)*n0;所述的芯层为掺碱金属离子芯层或非掺碱金属离子芯层,所述的包层由掺氟、氯和含羟基的二氧化硅基材料构成;并且包层和芯层材料掺氟浓度差△[F]、芯层和包层材料羟基浓度差△[OH]、芯层和包层材料掺氯浓度差△[Cl]和芯层材料掺碱金属离子浓度之和[M],满足△[F]-△[Cl]-300×[M]-150000×△[OH]≤0.8mol%。本发明通过掺杂组分和浓度差的控制使得光纤芯层和包层材料的高温粘度匹配,获得瑞利散射衰减降低的单模光纤,光纤的散射系数降低到≤0.85,使光纤的传输损耗得到有效的降低。

    一种单模光纤
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103454719A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310394404.9

    申请日:2013-09-03

    IPC分类号: G02B6/02 G02B6/036

    摘要: 本发明涉及一种光纤通信系统中使用的低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层的折射率分布n(r)满足g型折射率分布:n(r)=n0[1-2Δ1(r/R1)g]1/2(r≦R1),芯层Δ1为-0.05%~+0.05%,g为10~30,芯层半径R1为4.0μm~5.0μm,包层从内至外依次包括内包层、中间包层和外包层,内包层Δ2为-0.3%~-0.45%,半径R2为20μm~30μm,中间包层Δ3大于Δ2,并且中间包层的相对折射率差、半径与内包层的相对折射率差、半径存在以下的数值关系:设V=(R3-R2)×(Δ3-Δ2),则V值的范围为0.5×10-2μm%~7×10-2μm%。本发明光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.180dB/km,不仅具有低的光纤损耗,而且制作工艺性好、成本低,适于规模生产。

    一种大规格光纤预制棒的制备方法

    公开(公告)号:CN102757179A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210271914.2

    申请日:2012-08-02

    IPC分类号: C03B37/018

    CPC分类号: C03B37/01493 C03B37/018

    摘要: 本发明涉及一种大规格光纤预制棒的制备方法,步骤为:采用管内化学气相沉积法制备芯棒,所述的芯棒包括纤芯层,或纤芯层和部分内包层;以所述的芯棒作为靶棒,采用VAD法在所述的靶棒上制备SiO2疏松体,形成内包层或部分内包层;得到结构均匀的初级光纤预制棒;将初级光纤预制棒作为靶棒,用OVD法沉积SiO2外包层,沉积完成后,将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明结合了各种沉积工艺的优点,合理避开了各工艺的缺点,实现了高沉积速率、高性能与低成本的统一。本发明不仅适于制备简单剖面的普通单模光纤,更适合制备精密复杂剖面结构的特种光纤。

    一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法

    公开(公告)号:CN102515500A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110401215.0

    申请日:2011-12-06

    IPC分类号: C03B37/016

    CPC分类号: C03B37/01838 C03B2201/34

    摘要: 本发明涉及一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法,包括制作含包层的石英玻璃衬底管;配制凝胶料,将配制好的凝胶料灌入石英玻璃衬底管管内,形成凝胶并老化;对管内的老化凝胶进行超临界干燥处理,形成一个掺杂了稀土及辅助掺杂化合物的高孔隙率的气溶胶;对气溶胶进行预氧化处理,使得气溶胶中的非氧化物在氧气和氦气的混合气中转化成氧化物;再在气溶胶中通氯气和氧气进行脱水处理;将含有气溶胶的石英玻璃衬底管用高温烧结熔缩成石英预制棒,即制成掺杂稀土光纤预制棒。本发明可以制造芯径大于5mm,掺杂均匀,基底损耗低的大芯径掺杂稀土光纤预制棒。有效地降低了水峰,实现了在1383nm处的光纤附加损耗小于10dB/km。

    一种抗弯曲多模光纤
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102043197A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201110029993.1

    申请日:2011-01-26

    IPC分类号: G02B6/036 G02B6/028

    摘要: 本发明涉及一种抗弯曲多模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径R1为23~27微米,芯层折射率剖面呈抛物线,芯层外的包层从内到外依次为:内包层、下陷环、上升环、下陷外包层;内包层单边厚度W2为0~2.5微米,内包层相对折射率差Δ2为-0.1%~0.1%;下陷环单边厚度W3为0.5~6微米,下陷环最小相对折射率差Δ3min为-0.1%~-0.3%;上升环单边厚度W4为0.5~10微米,上升环为纯二氧化硅层;下陷外包层单边厚度W5为17~39微米,下陷外包层最小相对折射率差Δ5min为-0.15%~-0.6%;且Δ3min>Δ5min。本发明具有很低的宏弯附加衰减,并且在双通信窗口(850nm和1300nm)具有同等的宏弯性能,具有“宏弯平坦”特性;光纤包层中下陷环的折射率比下陷外包层的折射率高,可以有效提高弯曲不敏感多模光纤的带宽。

    一种新型的高掺锗型光敏光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN101216574B

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN200710127764.7

    申请日:2007-06-27

    发明人: 涂峰 罗杰 韩庆荣

    IPC分类号: G02B6/02 G02B1/00 C03B37/01

    摘要: 本发明涉及一种新型的高掺锗型光敏光纤,它是在光纤的芯层中掺入了46%-54%锗元素,光纤的NA值为0.25-0.31。这种高掺锗型的光敏光纤具有大的模场直径和小的衰减,它能够满足信号的传输和传感两方面的需求,这样就可以直接在一段光纤的某些部分刻写上光纤光栅,其余部分作为传输信号的光纤。本发明的一个显著特点在于其具有很高的光敏性能,不需要经过载氢等处理,即可在光纤纤芯中直接刻写光纤光栅。能够节省大量的处理程序和时间,为光纤传感系统提供优良的传感原件。

    一种室内布设光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN101614842A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200910063486.2

    申请日:2009-08-07

    摘要: 本发明涉及一种适于室内布线敷设的光纤及其制造方法,所述光纤包括有一裸光纤,在裸光纤的外周依次涂覆缓冲层和过渡层,在过渡层外包覆外保护层。光纤的加工从光纤预制棒由拉丝、涂覆和挤塑在同一条生产线上连续顺次进行,一次加工成型。本发明的有益效果是:1.结构简单,直径细,弯曲性能好,并具有一定的抗拉防护能力和阻燃阻水性能,成本低,性价比高;2.可以直接用于室内、船舶、汽车布线,而且布线接续灵活方便,节约空间;3.整个光纤从拉丝一次加工成型,不仅提高了工效,降低了制造成本;而且加工的光纤质量好,内应力低,可抵御在制造和使用过程中外力对光纤的影响,同时也避免了因光纤再次加工和加温对其造成的损伤和影响。