公开(公告)号：CN110491541A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201811271325.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  朱礼亚 ,  王晓艳

IPC: G21H1/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法，包括自下而上包括N型高掺杂SiC衬底，P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部的部分区域设有第一N型SiC外延层，在第一N型SiC外延层的上方设第二N型SiC外延层，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部除了第一N型SiC外延层的区域设有P型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层上方部分区域设有N型欧姆接触掺杂区，N型欧姆接触掺杂区的上方设有N型欧姆接触电极，第二N型SiC外延层的上方除了N型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H-3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H-3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。

公开(公告)号：CN103701752B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310648113.8

申请日：2013-12-03

Applicant: 长安大学

Inventor： 徐娟 ,  姚如贵 ,  朱礼亚 ,  南花妮 ,  高凡琪

IPC: H04L27/34 ,  H04L25/03

Abstract: 本发明公开了一种G.HN标准中十字星座QAM低复杂度解映射算法，该算法用于降低G.HN标准中高阶十字星座QAM解映射的复杂度，拓展高阶十字星座QAM的高速数传应用场景，以贡献权值来衡量参考星座点对解映射的贡献，将搜索范围缩小为贡献权值较大的参考星座点，以有效降低高阶十字星座QAM解映射的复杂度。本发明能充分利用信道估计信息，辅助自适应选择搜索范围，大大缩小搜索范围，有效降低了高阶十字星座QAM解映射的复杂度，并在算法复杂度和性能之间达到良好的平衡，为拓展高阶十字星座QAM应用场景奠定了基础。

公开(公告)号：CN103701752A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310648113.8

申请日：2013-12-03

Applicant: 长安大学

Inventor： 徐娟 ,  姚如贵 ,  朱礼亚 ,  南花妮 ,  高凡琪

IPC: H04L27/34 ,  H04L25/03

Abstract: 本发明公开了一种G.HN标准中十字星座QAM低复杂度解映射算法，该算法用于降低G.HN标准中高阶十字星座QAM解映射的复杂度，拓展高阶十字星座QAM的高速数传应用场景，以贡献权值来衡量参考星座点对解映射的贡献，将搜索范围缩小为贡献权值较大的参考星座点，以有效降低高阶十字星座QAM解映射的复杂度。本发明能充分利用信道估计信息，辅助自适应选择搜索范围，大大缩小搜索范围，有效降低了高阶十字星座QAM解映射的复杂度，并在算法复杂度和性能之间达到良好的平衡，为拓展高阶十字星座QAM应用场景奠定了基础。