公开(公告)号：CN111704168B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010599678.1

申请日：2020-06-28

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈威威 ,  黄义 ,  唐孝生

IPC: C01G45/00 ,  C01B33/18

Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅单颗粒包裹锰掺杂纯无机钙钛矿的纳米晶及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的纳米晶具有核壳结构，即使用作为壳的球形二氧化硅单颗粒对单个的锰掺杂纯无机钙钛矿材料的核进行包覆，得到具有良好分散性和光学性能的纳米晶，解决现有技术中由于传统SiO2包覆方式由于SiO2体积较大、锰掺杂材料团聚而引起的光学性能较差等问题，在太阳能电池、LED、微激光等领域具有广泛的应用前景。另外本发明提供的一种二氧化硅单颗粒包裹锰掺杂纯无机钙钛矿的纳米晶的制备方法，其制备过程中二氧化硅颗粒的生长可控，同时制备方法简单、容易操作。

公开(公告)号：CN116730869A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310771584.1

申请日：2023-06-27

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈威威 ,  吴大迁

IPC: C07C257/12 ,  C09K11/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶及其制备方法和应用，属于半导体纳米晶的制备技术领域。本发明公开了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶，结构式为FAPbBr3:xNd3，其中x是原子掺杂比x＝Nd/(Nd+Pb)。本发明的钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶具有缺陷密度低、光学性能好的优点，能顾用于制备绿光LED或白光LED，在太阳能电池、LED以及锂电池负极材料方面具有广泛的应用前景。本发明还公开了一种钕掺杂甲脒铅溴钙钛矿半导体纳米晶的制备方法，通过一步常温配体辅助再沉淀法制备，制备工艺简单，可以在工业生产中进行广发推广；同时在制备过程中采用的均为低成本的反应前驱物，适宜大规模生产的应用。